杨翠柏
- 作品数：23 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- 蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
- 采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.InN (0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半峰宽为9....
- 肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 关键词：MOCVD生长气相沉积晶体质量
- 文献传递
- 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
- 一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核...
- 王晓亮肖红领杨翠柏胡国新冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 文献传递
- 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
- 一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-a</Sub>N层制作在非有意掺杂...
- 王晓亮杨翠柏肖红领胡国新冉学军王翠梅张小宾李晋闽
- 文献传递
- Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
- 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄...
- 冉军学王晓亮李建平胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽
- p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
- 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂In<Sub>x</S...
- 张小宾王晓亮肖红领杨翠柏冉军学王翠梅李晋闽
- 生长氮化铟单晶薄膜的方法
- 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成...
- 王晓亮肖红领胡国新杨翠柏冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 文献传递
- 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
- 一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1－a</Sub>N层制作在非有意掺杂...
- 王晓亮杨翠柏肖红领胡国新冉学军王翠梅张小宾李晋闽
- 文献传递
- 生长氮化铟单晶薄膜的方法
- 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成...
- 王晓亮肖红领胡国新杨翠柏冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量：1
- 2008年
- 研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。
- 冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
- 关键词：ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
- T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究被引量：1
- 2010年
- 从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。
- 马泽宇王晓亮王翠梅肖红领杨翠柏
- 关键词：T-ZNOW逾渗复合材料
