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沃立民

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇镓化合物
  • 1篇温度场
  • 1篇化合物
  • 1篇感应线圈
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SIC衬底
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇封先锋
  • 1篇黄媛媛
  • 1篇蒲红斌
  • 1篇张群社
  • 1篇陈治明
  • 1篇李留臣
  • 1篇沃立民

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计被引量：6
2004年
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究。分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则。模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数。
蒲红斌陈治明李留臣封先锋张群社沃立民黄媛媛
关键词：碳化硅温度场半导体材料
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