王广民
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华东工学院电子工程与光电技术学院光电技术系更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 自洽法计算非晶硅的带隙态密度被引量：2
- 1989年
- 本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10^(16)cm^(-3)·eV^(-1)。
- 王广民朱秉升
- 关键词：非晶硅
- 全文增补中
