王必本
- 作品数：77 被引量：157H指数：8
- 供职机构：重庆理工大学化学化工学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 碳纳米管场电子发射性能不稳定性的分析
- 2008年
- 利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备了多壁碳纳米管,并测试了它的场电子发射性能,发现碳纳米管的场电子发射性能在测量过程中发生了变化。利用X射线能谱仪对碳纳米管进行了表征,结果表明氧吸附在碳纳米管上。氧的吸附导致了碳纳米管的功函数发生了变化,造成碳纳米管场电子发射性能不稳定。同时,本工作还分析了氢的吸附可能对碳纳米管场电子性能的影响。因此,本工作对碳纳米管在微电子领域的应用有一定的意义。
- 王必本王峰瀛党纯
- 关键词：碳纳米管场电子发射氧吸附
- 激光熔敷WC-TiN-SiC-Co高硬质合金及机理初探被引量：15
- 1994年
- 叙述了用一台输出功率为2kW的连续CO_2激光器,在碳钢表面实现了激光熔敷WC-TiN-SiC-Co高硬质合金的实验方法,并对激光处理后的样品,从相的组成,显微组织,硬度分布及耐磨性能等方面作了综合分析。结果表明:样品表面的化学成分,显微组织和机械性能都发生了根本性转变和很大的提高,同时对激光熔敷形成高硬质合金的机理作了初步的探讨。
- 张思玉王必本郑克全
- 关键词：碳钢硬质合金激光熔敷表面改性
- 影响碳纳米管生长与结构的参数研究被引量：3
- 2005年
- 采用负偏压增强热丝化学气相沉积(CVD)方法,在沉积有NiFe催化剂层及Ta或Ti过渡层的Si衬底上,通过改变沉积条件制备出不同结构的碳纳米管。扫描电子显微镜的研究结果表明,当过渡层为Ta时,碳纳米管的生长速度比Ti过渡层的大;在沉积过程中,有或无辉光放电时,生长出的碳纳米管分别是定向和弯曲的;同时还观察到随着反应气体中NH3浓度的加大,碳纳米管的生长速度会随之增大。
- 于慕楠周英王波严辉王必本
- 关键词：碳纳米管辉光放电化学气相沉积
- NH_3与H_2之比对碳纳米尖端阵列形成的影响
- 2006年
- 以CH4,NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的Si上制备了碳纳米尖端阵列。利用原子力显微镜和扫描电子显微镜分别对碳膜和碳纳米尖端进行了研究,发现碳膜的表面粗糙不平,有许多凸起,在NH3与H2的比例为1/7和1/1时,可形成碳纳米尖端阵列,利用有关等离子体刻蚀理论对碳纳米尖端阵列的形成进行了分析,结果表明,只有在这两个比例下,离子对碳膜内凸起两侧有相同的溅射刻蚀速率,因此可形成碳纳米尖端阵列。
- 王廷志王必本党纯
- 关键词：化学气相沉积
- 竹节型结构碳纳米管形成机制的研究进展
- 2004年
- 碳纳米管自Iijima发现以来，由于其独特的结构和性能一直受到人们的关注。目前，已能成功制备出碳纳米管，但沉积条件的改变却导致碳纳米管从中空型结构到竹节型结构变化。综述了竹节型结构碳纳米管形成的机制，并提出了有待进一步研究的问题。
- 郑坤王必本侯碧辉
- 关键词：碳纳米管竹节
- 负衬底偏压增强离子轰击对金刚石核化影响的理论分析
- 2000年
- 从理论上研究了负衬底偏压增强离子轰击对金刚石核化的影响 。
- 王必本王万录廖克俊肖金龙
- 关键词：离子轰击金刚石膜
- 金刚石薄膜的核化机制及其应用研究
- 该文首次利用实验和理论相结合的方法较系统和深入地研究了负衬底偏压增强热灯丝化学气相沉积金刚石薄膜的核化过程.第一次研究了负偏压增强金刚石薄膜与衬底之间的结合力问题和衬底碳化物在金刚石的核化过程中对含碳粒子的凝聚作用.从理...
- 王必本
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜粘附力场发射
- 文献传递
- 等离子体对低温定向生长碳纳米管的作用被引量：1
- 2005年
- 利用负偏压增强热丝化学气相沉积在低衬底温度(550℃)下催化生长了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它的生长过程,发现低温下碳纳米管能否定向生长依赖于等离子体功率,同时还发现碳纳米管在压强太低时不能够生长。结合有关理论分析,结果表明,当等离子体功率较大时,等离子体形成的强电场对催化剂颗粒的作用导致了碳纳米管的定向生长;而低压下碳纳米管不能够生长是由于碳粒子扩散太快的缘故。
- 王必本党纯徐幸梓
- 关键词：碳纳米管等离子体扩散
- 沉积条件对CVD碳纤维生长的影响被引量：7
- 2004年
- 用CH4、H2或包含NH3的混合气体为反应气体,利用负偏压增强热丝化学气相沉积方法在沉积有过渡层(Ta或Ti)和催化剂层(NiFe)的Si衬底上制备碳纤维,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构,结果发现不同的沉积条件对碳纤维的生长和结构有很大的影响。在无辉光放电的条件下,衬底温度较低时碳纳米管或纤维生长困难;提高衬底温度,能够弯曲生长;在辉光放电的条件下,则呈现定向生长的特点。
- 王国菊王国菊王必本王波郑坤朱满康
- 关键词：碳纤维辉光放电CVD扫描电子显微镜
- 氨气浓度对碳纳米管生长影响的研究被引量：8
- 2004年
- 利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构。结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平均长度分别为3.88μm、4.52μm和6.79μm,而其平均直径变化不大,均在240nm左右。最后,分析讨论了氨气浓度对碳纳米管生长和结构的影响。
- 王必本张兵郑坤郝伟王国菊王波朱满康严辉
- 关键词：氨气碳纳米管生长速率反应气体过渡层
