王玫
- 作品数：57 被引量：146H指数：7
- 供职机构：北京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学环境科学与工程文化科学电子电信更多>>
- 电解法和水解法制备纳米二氧化钛的对比研究被引量：2
- 2010年
- 以四氯化钛为原料,采用电解法和水解法分别制备TiO2粉体。利用X射线衍射对TiO2粉体进行表征,并分析了制备方法、煅烧温度和制备条件对TiO2晶型的影响。结果表明,煅烧温度是影响水解法制备TiO2晶型的重要因素,但不影响电解法制备TiO2的晶型。而且,干燥方式影响电解法制备TiO2粉体的尺寸,TiO2粉体经室温冷冻干燥后的晶体尺寸比高温煅烧小。
- 邓芳王玫罗旭彪曾桂生占幼才
- 关键词：二氧化钛电解法水解法高温煅烧冷冻干燥
- 基于工程教育专业认证的环境工程专业核心课程体系与内容优化被引量：8
- 2011年
- 本文根据环境工程专业规范和认证标准要求,以南昌航空大学环境工程专业为例,对其核心课程体系设置和教学内容两方面进行了优化与规范的探讨。
- 张秋根熊辉魏立安杨莉王玫
- 关键词：课程体系教学内容
- 高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
- 2012年
- 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.
- 黄力黄安平郑晓虎肖志松王玫
- 关键词：高K材料FINFET
- 一种氧化物基忆阻器的量子化电导行为调控方法
- 本发明所述的一种氧化物基忆阻器的量子化电导行为调控方法，氧化物基忆阻器整体结构由下至上依次包括底电极层/碱金属氧化物层/功能化氧化物层/顶电极层。其特征在于：所述功能化氧化物层具有存储和限域离子迁移功能，在电场的作用下，...
- 黄安平耿雪丽高勤王国兴王玫肖志松
- 双浮栅光电自激发神经突触忆阻器
- 本发明公开本发明提供一种双浮栅光电自激发神经突触忆阻器，其结构按照写入电压的方式主要分为两部分：垂直方向和水平方向。其中垂直方向由下至上依次包括底栅、阻挡层、量子点层、光敏材料层、源极、漏极、顶栅；水平方向依次包括源极、...
- 高勤黄安平黄江顺肖志松王玫
- 油田压裂返排液的混凝—高级氧化处理研究
- 采用混凝—高级氧化法对油田压裂返排液进行初步处理。在聚合氯化铝加入量为300 mg/L、聚丙烯酰胺(A8025)加入量为10 mg/L、pH为11的条件下进行混凝处理,混凝出水COD为3734 mg/L,COD去除率达5...
- 王玫杨玉楠刘宏菊曹群
- 关键词：混凝法高级氧化法
- 文献传递
- 颗粒物流速与Beverloo公式的关系研究被引量：3
- 2019年
- 沙漏作为历史久远的计时工具一直被沿用至今,其蕴含的物理原理仍然应用在生活的各个方面.本文研究了不同材质的颗粒物质在其直径极其细小、比表面积急剧增大的情况下,颗粒物对于同样直径的洞口流量随颗粒直径大小成正相关的特殊现象.同时测量了最大稳定角,并进一步探究了开口直径、倾斜角度等因素对流速的影响,结合实验现象在颗粒物极其细小的条件下对Beverloo公式的参数进行了修正.
- 陈和田南洁高红王玫
- 关键词：颗粒物质比表面积
- 一种Cu<Sub>2</Sub>O实心微球的制备方法
- 本发明涉及一种Cu<Sub>2</Sub>O实心微球的制备方法，它有六大步骤。其基本方式是采用水浴法进行制备，通过在制备过程中控制盐酸羟胺(NH<Sub>2</Sub>OH·HCl)和十二烷基硫酸钠(SDS)的添加量，获...
- 张俊英高红钱海蛟王玫
- 文献传递
- 专业物理实验的实践教学研究
- 肖志松黄安平王金良王玫苗明川
- 高k/SiO2/Si界面对全栅结构费米能级钉扎效应的影响
- 本文在电子态密度模型研究金属栅/高k结构费米能级钉扎效应的基础上，重点分析了高k/SiO2/Si中间层氧空位对全栅结构费米能级钉扎效应的影响，理论研究表明SiO2中氧空位对金属/高k界面真空能级产生影响，并进一步改变其费...
- 李越黄安平王玫肖志松
- 关键词：界面电荷
