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王育新

作品数:151 被引量:3H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 141篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 82篇电路
  • 45篇转换器
  • 35篇比较器
  • 33篇模数转换
  • 33篇模数转换器
  • 20篇时钟
  • 20篇放大器
  • 17篇电压
  • 17篇产生电路
  • 16篇增益
  • 15篇锁存
  • 15篇功耗
  • 15篇采样
  • 13篇信号
  • 12篇数模
  • 12篇逐次逼近型
  • 11篇时钟信号
  • 11篇自举
  • 10篇数模混合
  • 9篇低功耗

机构

  • 151篇中国电子科技...
  • 4篇中国电子科技...
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇国防科学技术...
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇重庆大学

作者

  • 151篇王育新
  • 111篇付东兵
  • 110篇陈光炳
  • 82篇李儒章
  • 75篇王健安
  • 68篇胡刚毅
  • 52篇刘涛
  • 52篇徐代果
  • 33篇蒋和全
  • 29篇李婷
  • 25篇刘璐
  • 25篇王妍
  • 25篇张正平
  • 25篇李梁
  • 20篇王永禄
  • 20篇徐鸣远
  • 18篇徐世六
  • 17篇沈晓峰
  • 15篇张勇
  • 13篇黄正波

传媒

  • 8篇微电子学
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 12篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 20篇2019
  • 18篇2018
  • 32篇2017
  • 18篇2016
  • 19篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
151 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
芯片ESD保护电路
本发明提供一种芯片ESD保护电路,包括集成电路层和导电层,其中集成电路层中第一电源域和第二电源域上分别设置有与第一电源域的第一地线连接的第一地焊盘,且第一地焊盘键合在导电层上;第二电源域上设置有第二电源钳位单元,第二电源...
王妍刘涛陈光炳王育新付东兵杨煜军陈良蒲阳
文献传递
一种提高MOS管模拟开关线性度的方法及MOS管模拟开关电路
本发明公开了一种基于电荷补偿的提高MOS管模拟开关线性度方法,主要应用于集成电路领域,特别是涉及MOS管作为模拟信号采样开关的集成电路应用领域。该方法具体为,在MOS管模拟开关电路中设置补偿电路,补偿MOS管模拟开关在导...
黄正波李婷李儒章张勇王妍陈光炳付东兵王育新
文献传递
一种基于时间域的4倍插值高能效Flash ADC
2022年
采用65 nm CMOS工艺,基于时间域4倍插值技术,设计了一款6位3.4 GS/s Flash ADC。该插值技术可以将N位Flash ADC的比较器数量从传统的2^(N)-1减少到2^(N-2)。与传统插值技术不同,该技术利用简单的SR锁存器有效地实现了4倍插值因子,而无需额外的时钟和校准硬件开销,在插值阶段只需要校准2^(N-2)个比较器的失调电压。在不同的工艺角、电源电压和温度(PVT)下,SR锁存器中的失调电压不超过±0.5 LSB。该ADC的采样频率达到3.4 GS/s,其在Nyquist输入时的ENOB达到5.4位,在1V电源下消耗12.6 mW的功耗,其Walden FoM值为89 fJ/(conv·step)。
刘建伟姜俊逸叶雅倩杨曼琳王鹏王鹏王育新付晓君
占空比调节电路
本发明涉及占空比调节电路,它包括一个50%占空比时钟产生电路、两个压控延迟线单元以及时钟边沿比较电路。本发明电路以输入时钟的一个边沿去确定输出时钟的一个边沿,仅移动时钟信号的另一个边沿去锁定占空比,输入时钟与输出时钟存在...
陈玺李梁陈光炳王育新付东兵黄兴发徐鸣远沈晓峰王友华
文献传递
一种相位精确可调双路时钟产生电路
本发明提供一种相位精确可调双路时钟产生电路,包括时钟产生电路、电压控制电路和压控延迟调节电路;所述时钟产生电路连接外部参考时钟输入信号,该信号经过时钟产生电路生成两路相位差基本为180°的差分时钟信号,并将两路差分时钟信...
俞宙李静陈光柄陈超王健安王育新付东兵
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功率半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法,在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构,且多个第二电阻场板结构在第一平面内呈放射状设置,从靠近元胞区的一侧延伸至远离元胞区的一侧,多个紧耦...
谭开洲肖添张嘉浩杨永晖蒋和全李儒章张培健钟怡王鹏王育新付晓君唐昭焕
文献传递
采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器
本发明提供一种采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器,应用于模数转换器领域,本发明在采样NMOS管的源极和电源之间加入一个二极管D1,在采样NMOS管的漏极和电源之间加入一个二极管D2,当输入电压增加时...
徐代果胡刚毅李儒章王健安陈光炳王育新付东兵邓民明
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大功率LVDS方波信号驱动电路
本发明涉及一种LVDS方波信号驱动电路,它包括一个非交叠方波控制信号产生电路、一个MOSFET开关驱动电路和一个输出匹配网络。本发明通过将有源晶体振荡器输出的弱驱动方波信号,经过非交叠逻辑时序处理,变为MOSFET的栅极...
俞宙胡刚毅魏亚峰李儒章陈光炳徐学良王育新付东兵
文献传递
一种高速数字逻辑电路模块及模拟数字转换器和电子设备
本发明公开了一种数字逻辑电路模块,应用于逐次逼近寄存器型模拟数字转换器中,所述数字逻辑电路模块包括多个分别由D触发器,延迟单元dly,反相器inv和与非门nand构成的单元电路,各所述单元电路依次级联,在逐次逼近过程中,...
徐代果胡刚毅李儒章王健安陈光炳王育新付东兵徐世六刘涛刘璐邓民明石寒夫王旭
文献传递
高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端,包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区,在有源器件区的一侧开设有第一深槽,第一深槽垂直穿过外延层,进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
文献传递
共16页<12345678910>
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