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李志宏

作品数：31 被引量：127H指数：6
供职机构：北京大学信息科学技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇机械工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇医药卫生
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 9篇MEMS
  • 4篇微电子
  • 4篇硅
  • 3篇微机械
  • 3篇互连
  • 3篇感器
  • 3篇VLSI
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电迁移
  • 2篇电容传感器
  • 2篇电容检测
  • 2篇调制器
  • 2篇多层互连
  • 2篇应力
  • 2篇植入
  • 2篇碳化硅
  • 2篇兔眼
  • 2篇陀螺
  • 2篇微电子机械

机构

  • 31篇北京大学
  • 2篇北京协和医院
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇教育部
  • 1篇天津大学
  • 1篇中央民族大学
  • 1篇解放军第30...

作者

  • 31篇李志宏
  • 7篇郝一龙
  • 6篇武国英
  • 5篇张国炳
  • 5篇王玮
  • 4篇王展飞
  • 4篇田大宇
  • 4篇王煜
  • 4篇郭辉
  • 3篇王阳元
  • 3篇张海霞
  • 2篇顾页
  • 2篇于伟泓
  • 2篇杨志坤
  • 2篇鲁文高
  • 2篇王任鑫
  • 2篇董方田
  • 2篇刘广峰
  • 2篇杨振川
  • 2篇李峰

传媒

  • 5篇Journa...
  • 4篇传感技术学报
  • 4篇纳米技术与精...
  • 2篇中国机械工程
  • 2篇微电子技术
  • 2篇电子科技导报
  • 2篇中国科学：信...
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇眼科研究
  • 1篇眼科新进展
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇电子商务
  • 1篇第八届中国微...
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇中国微米纳米...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2012
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 5篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2001
  • 4篇1999
  • 2篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1992
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜应力测试技术被引量：8
2006年
针对MEMS(micro electro mechanicalsystem)和NEMS(nano electro mechanicalsystem)对薄膜应力测试的要求,开发了一种新型高灵敏度薄膜应力测试技术,使用自行搭建的准纳米光学干涉测试系统,利用局部基底弯曲来检测薄膜的内应力.该方法不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点,而且消除了其系统误差.使用ANSYS对测试结构进行了模拟和优化,对于30nm厚的薄膜,应力检测的分辨率为1.5MPa,优于目前国际上的相关报道.本测试结构使用各向异性腐蚀和DRIE(deepreactiveionetching)完成,加工工艺简单实用.文中使用该测试技术对常用MEMS薄膜的残余应力进行了测量,结果与其他测试方法得到的结果基本一致,测量重复性优于1%.该技术可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的内应力.
王莎莎陈兢栗大超黄玉波李志宏
关键词：微机械系统内应力
二氧化硅纳米颗粒的反应离子刻蚀及其在硅纳米针尖制备中的应用(英文)被引量：2
2009年
系统地研究了硅衬底上二氧化硅纳米颗粒的反应离子刻蚀(R IE)过程,并在此基础上制备了可用于场发射的硅纳米针尖阵列.首先,采用改进的蒸发法在硅衬底上实现二氧化硅纳米颗粒的单层密排结构,再采用典型的刻蚀二氧化硅的R IE技术同时刻蚀硅衬底和二氧化硅纳米颗粒,在对纳米颗粒尺寸随刻蚀进行而改变的电镜照片分析的基础上,获得了相应的二氧化硅纳米颗粒刻蚀模型,计算得到横向和纵向的刻蚀速率;当刻蚀后的二氧化硅纳米颗粒从衬底上脱落后,进一步对硅衬底的刻蚀可以得到锐利的硅纳米针尖阵列,初步的实验结果表明,所制备的硅纳米针尖具有较好的场发射特性.
赵瑜江洵李成垚王玮高旻李志宏
关键词：反应离子刻蚀
PECVD SiC材料刻蚀技术
2006年
通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.
陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇
关键词：PECVD碳化硅反应离子刻蚀氢含量功率
改进的电迁移独立失效元模型
1996年
当前被广泛采用的描述电迁移失效的独立失效元模型存在很多缺陷．本文根据电迁移失效的物理机制和一些必要的假设，对其进行了一些改进．主要是以三叉点代替晶粒作为独立失效元，并不再假设单个失效元的中值失效时间与晶粒大小无关．对连线宽度、晶粒大小与电迁移寿命的模拟结果都比传统的独立失效元模型更符合实验事实．
李志宏顾页武国英王阳元
关键词：电迁移VLSI互连线
利用无电镀金实现微结构金属化的技术
2007年
无电镀是金属化的一种重要手段,具有成本低、保形性好、简单易操作等特点.在以前报道的MEMS结构无电镀金属化过程中,金属和硅结构会全部被金属化,难以形成复杂结构的局部选择性金属化.为此,采用一种商用无氰配方无电镀金溶液,通过两步无电镀方法,控制实验样品的激活时间、水浴温度等条件和两步镀覆的时间,使用无电镀镍作为中间层,实现了在特定材料层上的无电镀金;其针孔密度低,表面平整度较好,具有高的选择性,为高性能器件的研制打下了基础.
杨波李志宏
关键词：选择性金属化无氰镀液
一种用于差分电容检测的电荷Delta-Sigma调制器的研究被引量：4
2006年
研究一种用于差分电容传感器检测的电荷Delta-Sigma调制器结构.在该检测电路中不需要C/V转换电路,待检测的差分电容直接作为调制器环路的输入电容,差分电容的变化量首先被转换为变化的电荷,然后被调制成一位的数字输出信号.文章最后给出了一个二阶的Delta-Sigma调制器的行为级仿真结果.
王展飞李志宏
关键词：电容检测DELTA-SIGMA电容传感器
SiC薄膜制备MEMS结构
本文采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构.对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐...
王煜郭辉张海霞田大宇张国炳李志宏
关键词：SIC薄膜MEMS谐振器
文献传递
基于MEMS微电极芯片的电穿孔系统
2012年
报道了一种基于微加工金电极的细胞电穿孔芯片及一套完整的细胞电穿孔系统。该系统能够在多种细胞系中实现高效细胞电穿孔(对典型HEK-293A(人胚胎肾细胞)细胞的穿孔效率高于90%,3T3-L1(小鼠胚胎成纤维细胞)的电穿孔效率高达80%)。并且具有手动模式和自动模式。同时,由于基于独特的电极设计,其所需电压也远低于现有设备(典型工作电压为60 V),成本更低,操作更安全。
闫浩魏泽文李学明赵德尧梁子才李志宏
关键词：微加工低电压
MEMS振动陀螺闭环自激驱动的理论分析及数值仿真被引量：22
2008年
对采用AGC(automatic gain control)控制实现的陀螺闭环自激驱动系统进行了理论分析,利用平均技术和相平面法求解出了MEMS振动陀螺闭环自激驱动系统的起振条件以及幅度稳定条件的解析表达式,并进行了数值仿真验证。在该闭环驱动系统中,通过引入PI控制器消除了振动幅度控制的稳态误差。仿真结果很好地吻合了理论分析,理论分析结果可用于指导自激驱动系统的硬件实现。
王展飞鲁文高李峰李志宏
关键词：自激振荡MEMS陀螺AGCPI控制
一种频率线性可调的正交正弦波振荡器被引量：2
2009年
设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA-C结构,通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的gm,从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°,180°,270°和360°的振荡信号。芯片在0.5μm 2P3M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在5 V电源电压下振荡频率在180 KHz^1.2 MHz之间线性可调,振荡频率对于电源电压变化的灵敏度为8.1%/V。
王展飞鲁文高李峰李志宏
关键词：振荡器VCO正弦波发生器频率可调
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