陈睿
- 作品数：27 被引量：38H指数：4
- 供职机构：中国科学院空间科学与应用研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 空间静电放电对集成运算放大器的干扰影响模拟试验研究被引量：2
- 2017年
- 航天器充电效应导致的空间静电放电(SESD)作用于星载电子设备会使敏感电路和器件产生各种'软错误',最终可能导致设备或系统异常甚至整星失效.目前,关于SESD对空间电子设备,尤其是对星用器件的影响研究较少.本文选取典型的模拟电路LM124集成运算放大器为研究对象,利用ESD发生器模拟空间静电放电对该器件的常用4种工作模式进行了辐射干扰试验,并利用信号发生器对器件输入端进行了正弦波干扰注入测试.模拟的SESD干扰试验结果表明,运放输出端在放电干扰下会产生异常瞬态脉冲,脉冲特征与器件的工作模式、偏置条件和放电电压有关.电压比较器只出现单一极性的输出瞬态脉冲,电压跟随器与同相放大器对ESD的响应类似,而反相放大器对ESD的敏感度相对较低.正弦波干扰注入测试结果表明,输出瞬态脉冲的幅度、脉宽与输入端干扰信号的幅度和频率之间存在明显的相关性.此工作对于深入研究各类星用典型器件对SESD干扰的响应规律,了解SESD导致航天器电子设备或系统在轨故障的机制,进而在电路层次采取有针对性的防护措施具有借鉴意义.
- 郑汉生朱翔陈睿韩建伟张振龙
- 关键词：集成运放
- 激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置及方法
- 本发明提供了激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置，用于对被测器件进行聚焦平面定位，所述装置包括试验用激光源(1)、聚焦光路调节模块(2)、成像CCD模块(3)、三维移动台(4)及三维移动台控制模块(5)；所述试验用...
- 马英起韩建伟封国强姜昱光上官士鹏余永涛朱翔陈睿
- 文献传递
- FPGA单粒子效应动态故障测试装置及方法
- 本发明涉及一种FPGA单粒子效应动态故障测试装置，包括：控制电路模块(11)、上位机控制模块(12)、可控脉冲激光模块(15)以及三维移动模块(16)；其中，三维移动模块(16)在测试时用于安装待测试的被测FPGA器件(...
- 朱翔封国强韩建伟姜昱光上官士鹏马英起陈睿余永涛
- 文献传递
- 一种脉冲激光等效LET计算方法
- 本发明涉及一种脉冲激光等效LET值的计算方法，该方法由脉冲激光等效LET值定义式及激光强度随入射深度x的衰减规律可知，在线性吸收机制下，每个光子产生一个电子空穴对，对于脉冲激光背部辐照试验方法，考虑芯片背部衬底外表面对脉...
- 封国强马英起韩建伟上官士鹏余永涛姜昱光朱翔陈睿董刚
- 文献传递
- 基于脉冲激光的器件单粒子效应试验方法
- 近年来,脉冲激光模拟单粒子效应试验方法,由于具有低成本、操作便捷、微束定位和试验高效等优势,正被广泛应用于宇航用器件的筛选测试及器件抗单粒子效应设计效果的验证试验中。本文利用自主搭建的纳秒和皮秒脉冲激光单粒子效应试验系统...
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- 文献传递
- CMOS器件单粒子效应电荷收集机理被引量：2
- 2014年
- 针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变(SET,Single Event Transient)电流脉冲,深入分析了PMOSFET(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor)与NMOSFET(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据.
- 董刚封国强陈睿韩建伟
- 关键词：重离子反相器电荷收集CMOS工艺
- 不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法被引量：6
- 2014年
- 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。
- 陈睿余永涛董刚上官士鹏封国强韩建伟马英起朱翔
- 关键词：重离子辐照
- 单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究被引量：5
- 2015年
- 利用脉冲激光单粒子翻转敏感区定位成像系统,对静态随机存储器件IDT71256开展了单粒子翻转敏感区定位的试验研究。为避开器件正面金属层对激光的阻挡,试验采用背面辐照方式进行测试。试验结果表明,存储单元中存储数据类型对器件单粒子翻转的敏感性有较大影响,由测得的单粒子翻转敏感区分布图经处理得到单粒子翻转截面,结果与重离子试验测得的翻转截面数据一致。
- 余永涛封国强上官士鹏陈睿韩建伟
- 关键词：单粒子效应数据类型
- 一种检测FPGA单粒子效应与其时序特性关系的装置及方法
- 本发明公开了一种检测FPGA单粒子效应与其时序特性关系的装置，包括FPGA测试电路、时序控制电路和上位机控制模块；其中，时序控制电路连接到FPGA测试电路，FPGA测试电路连接到上位机控制模块；在测试过程中，FPGA测试...
- 封国强韩建伟朱翔姜昱光上官士鹏陈睿马英起余永涛
- 一种脉冲激光个数优化方法及单粒子翻转截面的测试方法
- 本发明涉及一种优化脉冲激光个数的方法，该方法用于优化脉冲激光测试器件单粒子翻转截面的脉冲激光个数，针对某一激光能量E<Sub>i</Sub>，脉冲激光个数F采用如下步骤确定：步骤101）获取在该激光能量下的光斑面积τ和器...
- 封国强上官士鹏韩建伟马英起余永涛姜昱光朱翔陈睿
- 文献传递
