韩本光
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路被引量：4
- 2013年
- 通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6%和81.2%;同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.
- 韩本光曹琛吴龙胜刘佑宝
- 关键词：偏置电路
- 130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应被引量：2
- 2010年
- 研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理。同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用。仿真结果表明,p+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性。
- 陈超吴龙胜韩本光方勇刘佑宝
- 关键词：电荷共享超深亚微米
- 一种可用于LVDS接收器的高速CMOS运放
- 2017年
- 本文针对高速LVDS接收器电路,研究设计了一种高速、单位增益带宽1.46 GHz的CMOS运放。充分考虑LVDS的电气特点,采用了高速运放电路结构,基于0.13μm 1.2 V/3.3 V CMOS工艺,进行了设计与仿真。仿真结果表明:该运放电路可以用于实现LVDS接收器。
- 张印李海松韩本光
- 关键词：差分信号折叠式共源共栅
- 一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术被引量：1
- 2017年
- 针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65nm CMOS工艺进行电路设计仿真,结果显示在500 MHz工作频率下,此DLL功能正确,抗SET性能良好,SET阈值达到100 MeV·cm2/mg,在空间辐射环境中具有很好的稳定性.
- 曹天骄吴龙胜李海松韩本光
- 关键词：延迟锁相环电荷泵
- 倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究被引量：1
- 2009年
- 为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构。研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用。发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高。基于0.35μm SOI工艺线,结合ISE TCAD软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据。着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真。
- 韩本光吴龙胜陈超方勇刘佑宝
- 关键词：PDSOI单粒子翻转电荷收集
- 一种CMOS图像传感器4T-APS像素电路线性化技术被引量：2
- 2016年
- 传统CMOS图像传感器4T-APS像素电路中源跟随器阈值电压随源极电压发生变化,导致源跟随器输入输出电压之间有较大的非线性,严重影响传感器的成像质量.提出了一种像素电路线性化技术,在不改变像素的填充因子的前提下,对像元电路中源极跟随器引入的非线性进行了校正.经仿真验证,传统源跟随器输出误差达205.9mV,线性化技术产生的误差不到300μV.
- 闻超韩本光汪西虎郭仲杰
- 关键词：体效应线性化
- 基于器件仿真的参数提取方法研究
- 2010年
- 介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35μmSOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构。基于BSI MSOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取。最后通过将仿真与实际测试得到的参数比较,验证了该方法的准确性。
- 方勇吴龙胜韩本光陈超唐威
- 关键词：SOI工艺参数
