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高梨弘毅

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:日本东北大学更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇磁性能
  • 1篇英文
  • 1篇输运
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米复合薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇矫顽力
  • 1篇非晶
  • 1篇CO掺杂
  • 1篇CO含量
  • 1篇L1
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁畴
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁化
  • 1篇磁化反转
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控共溅射
  • 1篇磁输运

机构

  • 2篇日本东北大学
  • 1篇东北大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇清华大学
  • 1篇西南大学
  • 1篇秋田大学

作者

  • 3篇高梨弘毅
  • 2篇水口将辉
  • 1篇熊祖洪
  • 1篇杨白
  • 1篇陈鹏
  • 1篇向晖
  • 1篇李国庆
  • 1篇莫小静
  • 1篇于荣海
  • 1篇刘晓芳
  • 1篇刘伟
  • 1篇唐瑞鹤
  • 1篇张政军
  • 1篇王俊忠
  • 1篇屿敏之

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇科学通报

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Co掺杂非晶C薄膜的低温磁输运特性及磁性能研究(英文)
2012年
采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at%)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温。研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能。通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR)。温度为2K、磁场为90×79.6kA.m-1时,Co含量为6.4at%的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6%。随着Co含量从6.4at%增加至16.4at%,MR值从27.6%逐渐减小至2.2%。电阻率??随温度T的变化曲线显示了线性的ln?-T-1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制。
唐瑞鹤刘伟张政军于荣海刘晓芳杨白水口将辉高梨弘毅
关键词:磁控共溅射磁输运磁性能
Co含量对Co-C纳米复合薄膜磁性能和磁电阻的影响
磁控共溅射法制备了Co含量介于6.4at%~16.4at%的Co-C纳米复合薄膜。形貌观察表明,Co纳米颗粒均匀分散在C基体中,相邻Co颗粒被C基体较好地分离,样品呈现典型的颗粒薄膜结构。Co颗粒平均尺寸随Co含量增加而...
唐瑞鹤吴章奔姜鹤杨志刚张弛水口将辉高梨弘毅杨白于荣海
关键词:纳米复合薄膜磁性能磁电阻
垂直取向L1_0 FePt纳米粒子的磁性被引量:4
2010年
用磁控溅射法在加热到700℃的MgO(001)基板上沉积了FePt薄膜.依靠基板与薄膜间的晶格失配,形成了磁化易轴垂直于基板平面的L10相(001)织构.膜厚为5nm时得到了直径约70nm的纳米粒子,4.2K温度下其矫顽力达105kOe(1Oe=79.58A/m).膜厚增加到50nm时,薄膜由不连续变化为连续,矫顽力下降了一个数量级.用微磁学方法对单畴粒子的自发磁化和磁化反转过程进行了模拟.结果表明,磁化反转机制是涡旋式的成核,模拟矫顽力为121kOe.这意味着实验获得的矫顽力已经接近理想单晶单磁畴粒子矫顽力的极限.
莫小静向晖李国庆陈鹏熊祖洪王俊忠石尾俊二齐藤准屿敏之高梨弘毅
关键词:矫顽力磁化反转磁畴
共1页<1>
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