高海波
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 分步法高速沉积微晶硅薄膜被引量：1
- 2012年
- 为提高微晶硅薄膜的纵向结晶性能,在甚高频等离子体增强化学气相沉积技术的基础上,采用过渡参数缓变和两步法相结合的方法在普通玻璃衬底上高速沉积薄膜。当功率密度为2.1 W/cm^2,硅烷浓度在6%和9.6%之间变化时,从薄膜方向和玻璃方向测算的Raman晶化率的差异维持在2%以内.硅烷浓度为9.6%时,薄膜沉积速率可达3.43 nm/s,从薄膜方向和玻璃方向测算的Raman晶化率分别为50%和48%,差异的相对值仅为4.O%.合理控制过渡阶段的参数变化,可使两个方向的Raman晶化率差值下降到一个百分点.表明采用新方法制备薄膜,不仅可以抑制非晶孵化层的形成,改善微晶硅薄膜的纵向结构,还为制备优质薄膜提供了较宽的参数变化空间.
- 高海波李瑞卢景霄王果李新利焦岳超
- 关键词：微晶硅薄膜
- 微晶硅薄膜的光稳定性与微结构的关系
- 2012年
- 利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变功率密度和沉积压强制备了三系列微晶硅薄膜。采用拉曼光谱、XRD与电导率分析技术,研究在光照条件下微晶硅薄膜的光学特性,光电导衰退与晶化率、沉积速率、晶粒尺寸间的关系。研究发现:随着晶化率的增加,微晶硅薄膜的光电导衰退率逐渐减小;随着沉积气压的增加,相同晶化率的薄膜的光稳定性降低。在光照50h后,薄膜的光电导衰退基本达到饱和。
- 徐艳华陈永生卢景霄王志永王蕾高海波张旭营
- 关键词：微晶硅薄膜光稳定性
- 退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化。退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有大幅度的增加。其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提高。
- 王果卢景霄李新利高海波焦岳超李瑞
- 关键词：退火PECVD晶化率表面粗糙度
- 本征微晶硅薄膜孵化层的深入研究
- 2011年
- 采用VHF-PECVD技术沉积微晶硅薄膜,获得较高的生长速度,但是薄膜质量较差,这与初始生长过程中生成厚的非晶孵化层关系密切。本研究表明,孵化层的厚度与硅烷浓度、功率密切相关:低的硅烷浓度,能保证成膜过程中氢原子打破弱键的几率,逐层生长现象明显;大的馈入功率,能保证更多氢原子参与成膜反应,减少悬键缺陷。这两方面的优化,最终把孵化层降低到26.55 nm。
- 张旭营卢景霄陈永生高海波
- 椭圆偏振光谱实时在线监测与离线分析微晶硅薄膜的生长被引量：3
- 2012年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积了有无籽晶层两个系列微晶硅薄膜.通过椭圆偏振光谱、拉曼光谱和XRD对薄膜进行了分析,发现采用籽晶层后,在薄膜沉积初期有促进晶化的作用;由于籽晶层减少了薄膜的诱导成核时间,提高了薄膜的沉积速率.对比了实时在线和离线椭圆偏振光谱两种测量状态对分析微晶硅薄膜的影响.研究发现,当薄膜较薄时,实时在线测量得到的薄膜厚度小于离线下的数值;当薄膜较厚时,两种测量条件下得到的薄膜厚度差异较小;实时在线条件下得到的表面粗糙度要大于离线条件下得到的数值,这是由于薄膜暴露在大气中后表面有硅氧化物生成,对表面有平滑作用.
- 李新利谷锦华高海波陈永生郜小勇杨仕娥卢景霄李瑞焦岳超
- 关键词：微晶硅薄膜
