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高英俊

作品数:253 被引量:677H指数:18
供职机构:广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西省自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 237篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 121篇金属学及工艺
  • 110篇理学
  • 61篇机械工程
  • 34篇一般工业技术
  • 8篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇环境科学与工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 68篇晶体
  • 54篇光子
  • 54篇光子晶体
  • 51篇合金
  • 37篇位错
  • 35篇相场
  • 30篇场模拟
  • 28篇晶界
  • 27篇透射
  • 23篇传输矩阵
  • 20篇相场法
  • 20篇晶粒
  • 19篇原子
  • 18篇价电子
  • 18篇光学
  • 17篇量子
  • 16篇一维光子晶体
  • 16篇价电子结构
  • 15篇透射谱
  • 13篇原子成键

机构

  • 251篇广西大学
  • 49篇河池学院
  • 30篇玉林师范学院
  • 13篇中国科学院
  • 12篇茂名学院
  • 6篇兴义民族师范...
  • 5篇广东石油化工...
  • 3篇中国科学院金...
  • 2篇北京工业大学
  • 2篇青岛理工大学
  • 2篇中国海洋大学
  • 1篇广西建设职业...
  • 1篇桂林工学院
  • 1篇广西师范大学
  • 1篇江苏大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇中南工业大学

作者

  • 253篇高英俊
  • 58篇黄创高
  • 52篇罗志荣
  • 33篇黄礼琳
  • 32篇苏安
  • 27篇卢强华
  • 22篇邓芊芊
  • 19篇陈海波
  • 16篇蒙成举
  • 15篇胡素梅
  • 13篇吴伟明
  • 12篇刘慧
  • 12篇刘瑶
  • 12篇卢成健
  • 11篇钟夏平
  • 9篇王玉玲
  • 8篇林葵
  • 7篇韩永剑
  • 7篇毛鸿
  • 6篇邓文

传媒

  • 48篇广西科学
  • 28篇广西物理
  • 15篇中国有色金属...
  • 15篇广西大学学报...
  • 14篇红外与激光工...
  • 13篇激光与红外
  • 9篇金属学报
  • 9篇广西科学院学...
  • 6篇激光技术
  • 6篇有色金属
  • 4篇物理学报
  • 4篇稀有金属
  • 3篇激光与光电子...
  • 3篇中国激光
  • 3篇光子学报
  • 3篇发光学报
  • 3篇计算物理
  • 3篇贵金属
  • 2篇光学技术
  • 2篇应用激光

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 7篇2020
  • 4篇2019
  • 9篇2018
  • 15篇2017
  • 14篇2016
  • 22篇2015
  • 17篇2014
  • 19篇2013
  • 10篇2012
  • 7篇2011
  • 21篇2010
  • 17篇2009
  • 11篇2008
  • 10篇2007
  • 10篇2006
  • 13篇2005
  • 8篇2004
253 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
相场法研究陶瓷粉末烧结体系的微观组织演变被引量:2
2012年
运用相场模型研究陶瓷粉末烧结过程中晶粒的生长和气孔演化过程。采用一组随时间和空间连续变化的取向场变量和浓度场变量来表征体系微结构,用Ginzburg-Laudau动力学方程和Cahn-Hillard动力学方程分别控制取向场和浓度场变量随时间的演化,并针对不同气相含量下的粉末烧结体系,统计其晶粒生长指数,分析气孔含量对晶粒生长的影响。计算结果表明,当烧结体系中气相含量fc在12%~20%之间变化时,随着气相含量的增加,晶粒生长指数m逐渐增大,即晶粒耦合气孔的生长演化速度随气相含量的增加而降低。计算结果与实验情况吻合。
张爽黄礼琳张卫龙陈皓天高英俊
关键词:相场法晶粒生长微结构
晶粒长大的Monte Carlo模拟方法——递归统计法测定晶粒度被引量:6
2008年
应用Monte Carlo(MC)法模拟在周期性边界条件下的晶粒长大行为。利用MC法模拟时,晶界处格点的迁移引起晶粒的长大,根据这一主要特征提出一种精确快速的测定晶粒度的新方法—递归统计法,然后采用递归统计方法测量晶粒度。结果表明,递归统计法测得的晶粒度比截点法的更精确,而且测量精确度不受模型的格点类型以及晶粒的尺寸、形状等的影响,测量速度比其他统计方法要快。
魏承炀高英俊张丽娜
关键词:晶粒度MONTECARLO方法晶粒长大
含双负介质一维光子晶体量子阱的透射谱研究被引量:19
2010年
用传输矩阵法研究一维光子晶体(AB)_m(BACAB)_n(BA)_m的透射谱,研究发现:在双正介质和含双负介质情况下,归一化频率1.0ω_0/ω处光子晶体(BACAB)_n的能带皆处于光子晶体(AB)_m(BA)_m的禁带中,均构成以ω/ω_0处为对称中心的光量子阱结构。光量子阱透射谱出现对称分布的共振透射峰,呈现明显的量子化效应,透射峰数目和位置可由n调节控制,且双正和含双负光量子阱结构的透射谱结构相同,但后者的透射峰带宽、间距比前者大。该特性可用于设计红外波范围内的可调性多通道滤波器和光开关等。
苏安高英俊
关键词:量子光学量子化效应传输矩阵法透射谱
真空场和紫外发散
2006年
提出对真空场的再认识,并据此修改了真空场量的通常形式,处理紫外发散问题.计算了电子与电磁场作用的顶角函数和电磁质量.
邱文兵高英俊
关键词:真空场涨落紫外发散电磁质量
对称双缺陷对光子晶体光传输特性的调制被引量:4
2019年
为研究和设计高性能、高品质的新型光学滤波和光学开关等器件,利用传输矩阵法理论,研究了对称双缺陷对光子晶体(AB)_5AC_n(BABAB)C_nA(BA)_5光传输特性的调制规律。结果发现,对称双缺陷一维光子晶体(AB)_5AC_n(BABAB)C_nA(BA)_5可实现高透射率高品质的光学滤波和光学开关功能。随着缺陷周期数n和光波入射角θ的增大,双滤波通道向短波方向移动产生蓝移现象,且两滤波通道之间的距离变短,但两滤波通道蓝移的速度和双通道间距变小速度不一样。随着缺陷物理厚度d_C和折射率n_C的增大,光子晶体双滤波通道向长波方向移动产生红移现象,两滤波通道之间的距离变大,但两滤波通道红移速度和双通道间距变大的速度不同。随着缺陷周期数n、物理厚度d_C、折射率n_C和光波入射角θ的增大,双通道滤波的透射率保持100%不变。对称双缺陷光子晶体的光传输特性,可指导高透射率、高性能和高品质的双通道光学滤波器件,以及高灵敏度的光学开关的研究和设计。
潘继环苏安赵宏斌韦永相高英俊
关键词:光子晶体透射谱滤波光开关
“热点”中局域声子的动力过程
1996年
利用玻尔兹曼方程研究“热点”中的非平衡局域声子气,得到了反映“热点”中局域声子气分布的弧子型解,并对该解的物理意义进行讨论。结果与实验符合得很好。
高英俊周本濂凌新生
关键词:玻尔兹曼方程晶体激光
韧性材料的微裂纹扩展和连通的晶体相场模拟被引量:30
2013年
采用晶体相场模型研究韧性单晶材料在双轴拉伸条件下微裂纹扩展和连通的演化过程,分析应变、初始裂口处原子密度等因素对裂纹扩展和分叉的影响。结果表明:初始裂口处原子密度对裂纹扩展有明显的影响;对于双轴拉伸作用,当应变较小时,裂纹扩展不分叉;当应变较大时,裂纹扩展才能出现分叉。在裂纹扩展过程中,体系能量不断降低;当裂纹出现分叉时,体系能量降低更快,这表明裂纹扩展过程中弹性应变能的释放比表面能的增加要快。裂纹在扩展过程中,在分叉处会出现与主裂纹断开的孤立的微小空洞。这些微小空洞将成为新的裂纹萌生之地,它们在应力的作用下不断长大,连成一线,形成新的裂纹分支。同一条直线上的两条初始裂纹在扩展过程中,当裂纹尖端靠近时,尖端相互吸引,裂纹相互连通。本研究所得结果与相关模拟结果和实验结果吻合。
高英俊罗志荣黄礼琳林葵
关键词:韧性材料
实现高效光滤波与放大功能的掺激活杂质光量子阱被引量:12
2013年
通过传输矩阵法理论,研究激活杂质对双重势垒光量子阱滤波器特性的影响,结果表明:介质未掺激活杂质时,双重势垒光量子阱滤波器品质随垒层周期数的增大而提高,同时滤波通道的频率发生位移;内、外垒层或阱层介质分别掺激活杂质时,各共振隧穿模出现高倍光放大现象,且各共振隧穿模的频率位置恒定;随激活介质介电虚部大小的增大光量子阱滤波器品质迅速提高,特别是阱层介质掺杂时品质提高尤为明显,高达8.010×104倍;利用双重势垒光量子阱的阱层或内、外垒层掺杂激活特性,可实现高品质光滤波、光信号放大功能,且为光量子阱的实际设计与应用提供积极指导。
蒙成举苏安高英俊
关键词:光放大
定向退火条件下柱状晶形成及连续扩展的相场模拟被引量:6
2014年
基于定向退火条件下的移动热区模型,采用相场法研究定向退火条件下热区宽度对多晶材料中柱状晶形成及连续扩展的影响。模拟结果表明:增加热区宽度有利于形成柱状晶结构,且所得柱状晶的长宽比随着热区宽度的增加而增大;当热区移动速率一定时,柱状晶连续扩展所需临界热区宽度小于形成柱状晶所需临界热区宽度;当热区宽度大于初始晶粒直径的1.5倍时,热区宽度对柱状晶连续扩展的热区移动临界速率的影响很小。
罗志荣高英俊邓芊芊黄礼琳黄创高
关键词:柱状晶相场法
纳米晶体材料中小角度晶界湮没过程研究被引量:2
2015年
本文针对纳米晶材料演化过程中的小角度晶界湮没,建立位错运动方程,计算模拟小角度晶界的晶格位错在外应力的作用下发生的运动,结果表明导致小角度晶界湮没的重要原因是切应力作用,破坏了晶界位错的受力平衡。这种湮没过程导致了高浓度的可整体移动的晶格位错形成。在纳米晶体材料中,这种被施加应力诱发的位错集体迁移,具有可塑的局部流动特性。
刘晓骅邓国忠黄照峰邓芊芊黄礼琳高英俊
关键词:位错滑移剪切应力向错
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