黄静月
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
- 供职机构：桂林电子科技大学信息与通信学院更多>>
- 发文基金：广西信息材料重点实验室主任基金国家大学生创新性实验计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- BaBiO_3/SrFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3–δ)厚膜NTCR的电性能研究
- 2010年
- 以SrFe0.9Sn0.1O3–δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻（NTCR）。借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明：所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3–δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2~3μm范围内;随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000 k？降至372 k？,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K。
- 袁昌来李擘巫秀芳黄静月刘心宇
- 关键词：电性能
- 一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究被引量：2
- 2010年
- 以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明：烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98-13.40kΩ、931-1855K和0.08-0.16eV。
- 赵霞妍袁昌来黄静月刘心宇李擘
- 关键词：电性能
- Bi_(0.5)Ba_(0.5)FeO_3陶瓷的电性能及阻抗分析被引量：3
- 2011年
- 以传统的固相反应法制备了Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、直流阻温测试仪和交流阻抗分析仪测试了Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷的微结构和电性能.分析结果表明:Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷具有立方钙钛矿结构,颗粒尺寸约1.0μm;在16—280℃范围内,Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷表现出明显的负温度系数热敏效应,其热敏常数、活化能分别为6490K及0.558eV;介电温谱揭示,在280℃下Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷材料没有出现相变行为.对于交流阻抗谱,采用3个串联的RQ(R与Q为并联)等效部件来拟合分析,拟合结果表明拟合数据与实验数据高度匹配,且这3个等效部件分别代表晶界、晶粒和晶壳的贡献.3个部件中,晶粒对陶瓷电阻阻值的影响最大,晶壳贡献次之,晶界最小,且3个部件电阻值都显示出负温度系数效应.在25—115℃范围内,电学模量虚部峰频与阻抗虚部峰频始终不匹配,意味着Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷体内部一直表现出局域导电机理.
- 袁昌来刘心宇黄静月周昌荣许积文
- 关键词：电性能阻抗分析
- 基于FPGA的高效数字下变频的设计与实现被引量：3
- 2011年
- 介绍了一种基于软件无线电思想的高效数字下变频的实现方法,阐述了数字下变频中的数控振荡器、CIC滤波器、半带滤波器和低通滤波器的设计与实现。结合Matlab滤波器算法技术和在Quartus II系统下仿真,改进了滤波器组结构和参数。仿真结果表明,基于FPGA设计的数字下变频能够满足多制式短波电台性能指标要求,并且减少硬件资源消耗,具有灵活性、通用性和修改参数方便等特点。在多制式短波电台的应用中取得了较好的效果。
- 黄静月田克纯
- 关键词：数字下变频滤波器现场可编程门阵列
- 一种基于FPGA的高效数字上变频的设计与实现被引量：5
- 2011年
- 介绍了一种基于软件无线电多制式短波电台的高效数字上变频的设计与实现,利用Matlab整定滤波器参数,并在quartus II开发环境下构建系统模型以及在modelsim软件下进行仿真。结果表明:基于FPGA设计的数字上变频器能够满足多制式短波电台性能指标要求,并且减少了硬件资源消耗,具有灵活性、通用性高和修改参数方便等特点。
- 黄静月田克纯常博学
- 关键词：数字上变频滤波器FPGA
- CuO掺杂SrFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3-δ)负温度系数厚膜热敏电阻的电学性能被引量：3
- 2011年
- 采用印刷法制备了CuO掺杂SrFe0.9Sn0.1O3-δ（CSFS）厚膜负温度系数（NTC）热敏电阻（掺杂量为20mol%~50mol%）.对其微观结构及电性能研究发现：随着CuO掺杂含量的增加,厚膜表面变得更加致密,室温电阻逐渐降低至0.46 M？,而热敏常数基本保持在3300K附近.CuO的加入导致SrFe0.9Sn0.1O3-δ分裂成多种铁含量更低的SrFe1-xSnxO3-δ物相（0.
- 袁昌来巫秀芳刘心宇黄静月李擘梁梅芳莫崇贵
- 关键词：CUO阻抗分析
