您的位置: 专家智库 > >

罗海辉

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇导体
  • 1篇涨落
  • 1篇谱性质
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇微波
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇反射率
  • 1篇半导体
  • 1篇GA
  • 1篇MN
  • 1篇GAAS
  • 1篇CURIE温...

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 2篇杨威
  • 2篇姬扬
  • 2篇罗海辉
  • 1篇阮学忠
  • 1篇王玮竹
  • 1篇赵建华
  • 1篇钱轩

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质
2009年
建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.
杨威姬扬罗海辉阮学忠王玮竹赵建华
关键词:自旋电子学稀磁半导体
高迁移率GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As二维电子气的微波回旋共振研究
2010年
掌握微波辐照下的电子态性质是理解高迁移率二维电子气在低磁场区的纵向电阻振荡和零电阻态等新奇物理现象的关键.基于反射率测量的微波回旋共振技术(RODCR),研究了高迁移率、低浓度GaAs/Al0.35Ga0.65As二维电子气在Ka波段微波辐照下的电子态性质.通过在不同条件下的RODCR测量,具体讨论了微波交变电场方向、入射激光波长和温度等因素对RODCR测量结果的影响规律.研究结果表明,RODCR测量技术为研究二维电子系统的电子态性质提供了简便而有力的手段.
杨威罗海辉钱轩姬扬
关键词:微波反射率二维电子气
共1页<1>
聚类工具0