董鹏
- 作品数：12 被引量：6H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 直拉硅中氧相关缺陷的研究
- 在直拉硅单晶生长过程中，氧不可避免地被引入至硅单晶中，其浓度一般在(5-10)×1017cm-3。位于硅晶格间隙位的氧原子可以与空位或其它杂质原子结合，形成空位-氧复合体，或者形成具有电活性的杂质-氧复合体，如:氮-氧复...
- 董鹏
- 关键词：直拉硅单晶生长载流子
- 一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法
- 本发明提供显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法，它利用多面体铜沉淀来显示空洞型缺陷。显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法包括：将抛光硅片浸入硝酸铜溶液静置；将硅片在去离子水中漂洗，取出后晾干；将上述经过铜沾污并晾干后的硅片进行...
- 马向阳徐涛董鹏杨德仁
- 文献传递
- 一种半导体-绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法
- 本发明公开了一种半导体‑绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属‑绝缘体‑半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不...
- 余学功胡泽晨董鹏杨德仁
- 文献传递
- 一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法
- 本发明公开了一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测...
- 余学功胡泽晨董鹏杨德仁
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- 单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移被引量：4
- 2013年
- 研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为.研究表明:在快速热处理时,位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移;当快速热处理温度高于1100℃时,在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离.我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的氮原子钉扎了位错,增加了位错的临界滑移应力,从而在相当程度上抑制了位错的滑移.可以推断氮气氛下的高温快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度.
- 徐嶺茂高超董鹏赵建江马向阳杨德仁
- 关键词：位错滑移机械性能单晶硅
- 一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法
- 本发明公开了一种氧化硅‑硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(...
- 余学功秦亚洲胡泽晨董鹏崔灿杨德仁
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- 掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响
- 2015年
- 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明:与磷原子相比,锑原子是更有效的空位俘获中心,从而抑制空位与自间隙硅原子的复合.因此,在经历相同的热氧化时,氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多,从而导致OSF更长.
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- 关键词：掺杂剂点缺陷氧化诱生层错直拉硅
- 一种具有高金属吸杂能力的n/n<Sup>+</Sup>硅外延片及其制备方法
- 本发明提供一种具有高金属吸杂能力的n/n<Sup>+</Sup>硅外延片，包括：轻掺n型硅为外延层，外延层中层错、位错等缺陷密度≤0.05/cm<Sup>2</Sup>；氮掺杂的重掺n型直拉硅为衬底，衬底的电阻率≤0.0...
- 马向阳董鹏杨德仁
- 文献传递
- 大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺
- 本发明提供大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺。本发明中的工艺包括如下依次的步骤：1）将硅片在惰性气氛下进行高温预处理，包括相继进行的较短时间（0.25～1小时）的高温（1150～1250℃）普通热处理和高温（1200～125...
- 马向阳王剑高超董鹏赵剑杨德仁
- 一种具有高金属吸杂能力的n/n<Sup>+</Sup>硅外延片及其制备方法
- 本发明提供一种具有高金属吸杂能力的n/n<Sup>+</Sup>硅外延片，包括：轻掺n型硅为外延层，外延层中层错、位错等缺陷密度≤0.05/cm<Sup>2</Sup>；氮掺杂的重掺n型直拉硅为衬底，衬底的电阻率≤0.0...
- 马向阳董鹏杨德仁
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