许剑
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：江南大学信息工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
- 2008年
- 在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好.
- 许剑丁磊韩郑生钟传杰
- 关键词：阈值电压全耗尽SOIHALO结构
- 非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型被引量：2
- 2007年
- 在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模型对HALO结构的物理特性和工艺设计有很好的指导意义.
- 许剑丁磊韩郑生钟传杰
- 关键词：阈值电压表面势全耗尽SOIHALO结构
- LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响被引量：1
- 2008年
- 利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系。计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小。而LDD掺杂能量对KINK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小。
- 丁磊许剑韩郑生梅沁钟传杰
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管KINK效应MEDICI
