邹兴权
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：汕头大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- SiO2纳米线和SnO2纳米带的制备、表征及发光性质研究
- 一维纳米材料如纳米线、纳米带、纳米管由于其有趣的形貌，奇特的性质，以及它们在介观物理和纳米器件中巨大潜在的应用前景，引起了人们的极大兴趣。本论文选用氧化物SiO和半导体氧化物SnO作为研究对象，采用热蒸发法在程序控温管式...
- 邹兴权
- 关键词：光致发光氧空位
- 文献传递
- 非晶SiO_2纳米灯笼的制备和表征被引量：1
- 2007年
- 在1000℃用活性炭把二氧化锡粉末还原成单质锡,锡作为催化剂,硅片作为硅源同时作为收集衬底,在硅片上制备出了非晶SiO2纳米灯笼.灯笼的一端连在硅片上,另一端为一个锡球,中间是一些圆弧状的SiO2纳米线把两端相连.纳米灯笼具有良好的对称性.利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)和HRTEM自带的能谱分析仪(EDS)对样品的表面形貌、微观结构和成分进行了分析研究.结果表明,灯笼中SiO2纳米线为非晶态,结点是晶态锡,结点表面覆盖一层非晶态的硅的氧化物.结合实验条件对纳米灯笼的生长机理进行了讨论,提出了纳米灯笼生长的一个模型.
- 邹兴权吴萍李强肖潭
- In_2O_3纳米材料的制备及其光学特性研究被引量：2
- 2007年
- 采用活性炭直接还原In2O3粉末的热蒸发法,制得大量直径约40～300 nm的In2O3纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、EDS能谱仪和透射电子显微镜(TEM)对其表面形貌、结构和成分进行分析,结果表明所得纳米线为In2O3.用荧光光谱仪研究其发光特性,得知所得产物在室温下存在较强的蓝绿发光和紫外发光现象,同时结合实验条件对合成In2O3纳米线的生长机理和光致发光机制进行初步讨论.
- 吴萍李强邹兴权池凌飞肖潭
- 关键词：IN2O3纳米线光致发光
- SiO<sub>2</sub>纳米线和SnO<sub>2</sub>纳米带的制备、表征及发光性质研究
- 一维纳米材料如纳米线、纳米带、纳米管由于其有趣的形貌，奇特的性质，以及它们在介观物理和纳米器件中巨大潜在的应用前景，引起了人们的极大兴趣。本论文选用氧化物SiO<sub>2</sub>和半导体氧化物SnO<sub>2</...
- 邹兴权
- 关键词：氧空位
- SiO_x纳米线的热蒸发法制备及表征被引量：1
- 2006年
- 采用活性炭还原SnO2粉末得到的金属锡作为催化剂,在硅片上生长出SiOx(x在1～2之间)纳米线.分析900℃～1 100℃下生长出来的SiOx纳米线发现,温度越高,纳米线越密集,表面也更光滑;分析不同温度梯度下生长出来的纳米线表明,硅片上温度梯度越小,生长的纳米线分布越均匀,直径也越均匀.并结合实验条件对SiOx纳米线的生长机理进行初步探讨.
- 吴萍邹兴权程文德
- 纳米碳管中离散分布的金属Ni纳米线气-液/固-固填充模型
- 2007年
- 以Ni：Cr=3：1的双金属层作为催化剂，用C2H2为碳源气体利用化学气相沉积（CVD）法，在不同的温度下制备纳米碳管。扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）研究制备产物发现：当制备温度高于900℃时，没有纳米碳管生成，制备温度在700-800℃之间纳米碳管中填充有一些离散分布的金属Ni纳米线，制备温度在650℃有纳米碳管生成，但是纳米碳管中没有发现纳米线的填充。通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析发现，纳米线是以液态或是粘滞液态填充进纳米碳管。根据实验结果，提出了一个在本实验条件下纳米线填充进纳米碳管的气-液／固-固V-L／S-S（vapor-liquid／solid-solid）模型，这个模型能解释一些传统的V-L-S（vapor-liquid-solid）模型不能解释的实验现象。
- 吴萍陈蓓邹兴权李强张丹莉肖潭
- 关键词：纳米碳管纳米线
