刘小强
- 作品数：7 被引量：31H指数：3
- 供职机构：空军工程大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术兵器科学与技术更多>>
- 双极性忆阻器模型参数对蕴含逻辑门的影响被引量：2
- 2016年
- 首先深入分析了具有阈值特性的双极性忆阻器模型的阈值电压和高低阻态开关特性,然后基于此模型设计了蕴含逻辑门电路,该设计有效解决了由线性漂移忆阻器模型构建的蕴含逻辑门电路存在的状态漂移问题。最后分别研究了忆阻值变化快慢参数(β)、阈值电压(V_t)和高低阻态阻值比率(a)对蕴含逻辑门电路运算速度和功率损耗的影响。理论分析和电路仿真表明,β增大或V_t和a减小,电路运算速度提高;β增大或a减小,电路功耗减少,V_t对电路功耗影响很小。研究成果为进一步设计运算速度更快、功耗更低的全加器和多路器等逻辑电路提供理论依据。
- 张波蔡理冯朝文王森杨晓阔张明亮秦涛刘小强崔焕卿
- 关键词：阈值功率损耗
- 晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响被引量：3
- 2017年
- 研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350V和255V,SEB发生时的临界击穿电场强度分别为2.4×10~6 V/cm和1.8×10~6 V/cm。在V_d=30V、V_g=-13.9 V的偏置条件下,两种晶圆器件的氧化层最大瞬态电场均为5.6×10~6 V/cm。结果表明晶圆各向异性导致(0001)晶圆器件的抗SEB能力更强,而对单粒子栅穿效应(SEGR)没有影响。
- 刘忠永蔡理刘保军刘小强崔焕卿杨晓阔
- 关键词：4H-SIC单粒子烧毁
- 基于云模型和FAHP熵权的空地弹药效能评估被引量：11
- 2017年
- 准确、科学地评估空地弹药的作战效能,对武器装备的设计、研制、试验、采购、作战使用及维护具有重要的意义。充分利用云模型可将定性指标的模糊性和随机性有效结合的特点,构建了空地弹药作战效能的综合云评估模型。针对现有确定指标权重的方法存在主观性较强的不足,提出一种基于模糊层次分析法(FAHP)熵权的权重确定方法,有效利用了主观信息和客观信息。实例分析表明该模型可准确、客观、有效地评估空地弹药的作战效能。
- 刘保军蔡理刘小强涂小辉钱飞
- 关键词：云模型熵权
- 纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性研究进展被引量：3
- 2016年
- 随着特征尺寸的不断缩减,器件结电容减少、工作电压降低,使纳米CMOS电路对单粒子效应(SEE)更加敏感,同时伴随着明显的单粒子串扰、多结点翻转等现象,严重影响其工作可靠性。基于纳米CMOS电路在SEE下的可靠性,从基本电离损伤机理、SEE对电路的影响、可靠性评估及抗辐射加固设计等几个方面分析了最新的研究进展,最后指出了几个未来可能研究的焦点,包括:新材料和新结构器件的SEE研究、CMOS电路的抗辐射加固设计研究,特别是抗单粒子瞬态的加固研究及纳米CMOS电路的单粒子闩锁和烧毁机理、仿真及加固研究等。
- 刘保军蔡理刘小强刘鹤鸣胡凡俊
- 关键词：可靠性纳电子器件抗辐射加固
- 基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构研究被引量：1
- 2014年
- 纳磁逻辑电路具有低功耗、非易失和可常温下制备等优点,实现低功耗片上时钟是其集成化的必备条件.本文提出了一种基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构,用载流铜导线产生的奥斯特场将铁磁体薄膜覆层进行磁化,然后依靠铁磁体层与纳磁体界面存在的交换作用场使后者磁化方向发生翻转.与轭式铁磁体时钟用外磁场控制纳磁体磁化方向相比,该方案在功耗方面降低了5/6,时钟边界杂散场强度降低了2/3,达到降低功耗、减轻串扰的目的.此外,采用微磁仿真进一步验证了该时钟结构上的纳磁体逻辑阵列可以实现逻辑功能.
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- 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应被引量：12
- 2017年
- 对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。
- 刘忠永蔡理刘小强刘保军崔焕卿杨晓阔
- 4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子效应加固研究被引量：2
- 2017年
- 研究了"高K栅"介质HfO_2和电荷失配对4H-碳化硅(SiC)基半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应的影响,并给出了一种加固结构。研究结果表明,HfO_2介质的应用对器件SEB效应没有影响,但栅氧化层电场峰值降低了83%,对SEGR效应有加固作用。结合HfO_2介质层和增加沟道掺杂浓度两种方法的加固结构,在不影响器件阈值电压的同时,器件的SEB闽值电压为1 290 V,提高了28%;栅氧化层的电场峰值为2.2×10~6V/cm,降低了80%。当N柱区掺杂浓度大于P柱区时,器件的抗SEB能力有所增强,但N柱区掺杂浓度小于P柱区时,器件的抗SEB能力减弱。
- 刘忠永蔡理刘保军刘小强
- 关键词：单粒子效应
