李春来
- 作品数：13 被引量：1H指数：1
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- 新型低压LDMOS结构设计与仿真
- 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,LDMOS）由于源极、栅极、漏极这...
- 李春来
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管击穿电压比导通电阻
- 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其包含第一漂移区和位于第一漂移区表面的第二漂移区。第二漂移区的表面形成有至少一个凹槽，以增加漂移区的表面积，减小器件的比导通电阻。并设置栅绝缘层和栅...
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- 文献传递
- 一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明公开了一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管新结构。这种结构是在靠近基区衬底中离子注入浓度渐变型埋层，中间部分为半导体衬底，靠近漏端衬底中埋有隔离的介质埋层。其耐压机理是通过浓度渐变型埋层电荷产生的附加电场...
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- 文献传递
- P型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件。与传统的SJ-LDMOS相比，本发明通过P型埋层和N型buffer层的共同作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，P型埋层...
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- 阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件被引量：1
- 2015年
- 为了设计功率集成电路所需的低功耗横向功率器件,提出了一种具有阶梯氧化层折叠硅横向双扩散金属-氧化物-半导体(step oxide folding LDMOS,SOFLDMOS)新结构.这种结构将阶梯氧化层覆盖在具有周期分布的折叠硅表面,利用阶梯氧化层的电场调制效应,通过在表面电场分布中引入新的电场峰而使表面电场分布均匀,提高了器件的耐压范围,解决了文献提出的折叠积累型横向双扩散金属-氧化物-半导体器件击穿电压受限的问题.通过三维仿真软件ISE分析获得,SOFLDMOS结构打破了硅的极限关系,充分利用了电场调制效应、多数载流子积累和硅表面导电区倍增效应,漏极饱和电流比一般LDMOS提高3.4倍左右,可以在62 V左右的反向击穿电压条件下,获得0.74 mΩ·cm^2超低的比导通电阻,远低于传统LDMOS相同击穿电压下2.0 mΩ·cm^2比导通电阻,为实现低压功率集成电路对低功耗横向功率器件的要求提供了一种可选的方案.
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- 关键词：击穿电压比导通电阻
- N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ-LDMOS器件结构中引入一层N型埋层，该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ-LDMOS相比，本发明通过了N型埋层的作用，补偿了超级结...
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- 文献传递
- 阶梯AlGaN外延新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMTs器件实验研究
- 2015年
- 本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果.实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层,形成阶梯的AlGaN外延层结构,获得浓度分区的沟道2DEG,使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰,有效降低栅边缘的高峰电场,从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布.实验获得了阈值电压-1.5V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件.经过测试,同样面积的器件击穿电压从传统结构的67V提高到新结构的106V,提高了58%左右;脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右,电流崩塌效应得到了一定的缓解.
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- 关键词：ALGAN/GAN表面电场击穿电压电流崩塌
- 一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明公开了一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管新结构。这种结构是在靠近基区衬底中离子注入浓度渐变型埋层，中间部分为半导体衬底，靠近漏端衬底中埋有隔离的介质埋层。其耐压机理是通过浓度渐变型埋层电荷产生的附加电场...
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- 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括：漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区，其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高...
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- 文献传递
- 具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件
- 2015年
- 为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS).这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题,使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿,而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用,提高N型缓冲层浓度,从而降低了器件的比导通电阻.利用三维仿真软件ISE分析表明,在漂移区长度均为10μm的情况下,P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右,较文献提出的N型缓冲层SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.
- 李春来段宝兴马剑冲袁嵩杨银堂
- 关键词：比导通电阻
