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王溯源

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇扫描式
  • 3篇套刻
  • 3篇光刻
  • 2篇圆片
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光刻机
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇测试套
  • 1篇单位圆
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇对准标记
  • 1篇掩模
  • 1篇掩模版
  • 1篇掩模制作
  • 1篇掩膜
  • 1篇掩膜版
  • 1篇栅极
  • 1篇设备参数
  • 1篇砷化镓
  • 1篇迁移率

机构

  • 8篇中国电子科技...

作者

  • 8篇王溯源
  • 4篇章军云
  • 2篇高建峰
  • 2篇彭劲松
  • 1篇黄念宁
  • 1篇殷履文
  • 1篇吴少兵

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管，包括GaN HEMT完整外延结构以及在GaN HEMT完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质及栅极；所述GaN HEMT完整外延结构自下而上包括：衬底、成核...
吴少兵张亦斌王溯源于永洲章军云
一种砷化镓HBT干法刻蚀斜坡的制作方法
本发明公开了一种砷化镓HBT干法刻蚀斜坡的制作方法，本方法包括：步骤一：提供已完成部分器件制作的晶圆结构；晶圆结构从下至上包括衬底、子集电极外延、自停止层外延、集电极外延、基极外延、发射极外延、基极金属设于发射极外延上、...
邱子阳陈岩步绍姜王溯源章军云
一种提升翘曲片上细线条光刻成品率的方法
本发明涉及一种提升翘曲片上细线条光刻成品率的方法，包含如下步骤:1）在翘曲片上摸索细线条光刻条件，选定初始线宽L1对应的剂量、焦距和照明方式等曝光参数；2）基于1中选定的光刻参数，在翘曲片上全片曝光，得到尺寸为L1的初始...
王溯源王雯洁梁宗文
文献传递
一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法
本发明是一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法，利用标准GaAs圆片将ASML扫描式光刻机的焦平面参数校准；利用经过校准后的ASML扫描式光刻机曝光ASML和Nikon圆片对准标记图形以及用于测试套刻精度的overl...
王溯源彭劲松高建峰
文献传递
一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计
2023年
为了解决当前GaN HEMT器件空气桥起桥角度、桥胶高度不稳定且易受后续步骤影响导致桥胶坍塌的问题,通过分别改变光刻胶定型桥的烘胶温度、烘胶时间以及曝光过程中的曝光焦距,观察不同条件下光刻胶定型桥桥胶的形貌和参数,选择最优的光刻胶定型桥的制作方法。并将最优烘胶温度、最优烘胶时间以及最优曝光条件整合,设计了一种适用于生产的拱形空气桥制作方法,得到了具有良好拱形且表面光滑的高质量、稳定且适合生产的空气桥。
石浩王雯洁付登源梁宗文王溯源张良章军云
关键词：空气桥
一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法
本发明涉及一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法，包含如下步骤：1）制作掩模版：所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图，两种版图尺寸相同；2）设定曝光位置：按照PCM测试位置的要求，在需进行PCM测试的位置设...
王溯源俞勇章军云黄念宁
文献传递
一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法
一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法，该方法包括：（1）取一块ASML标准掩膜版；（2）取另一块ASML标准掩膜版；（3）使用专用4英寸GaAs圆片，校准ASML扫描式光刻机的焦平面各项参数；（4）选用4英寸Ga...
刘磊殷履文李永康王溯源王发稳夏久龙
文献传递
一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法
本发明是一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法，利用标准GaAs圆片将ASML扫描式光刻机的焦平面参数校准；利用经过校准后的ASML扫描式光刻机曝光ASML和Nikon圆片对准标记图形以及用于测试套刻精度的overl...
王溯源彭劲松高建峰
文献传递
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