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鲍旭

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇氮化镓
  • 3篇刻蚀
  • 3篇功率二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇势垒
  • 2篇迁移率
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇ALGAN/...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇氮化物半导体...
  • 1篇导体
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇低导通电阻

机构

  • 8篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇鲍旭
  • 6篇张波
  • 6篇施媛媛
  • 5篇汪玲
  • 5篇周琦
  • 4篇陈万军
  • 2篇陈博文
  • 1篇李健
  • 1篇汪玲
  • 1篇陈万军
  • 1篇周琦

传媒

  • 2篇2014`全...

年份

  • 3篇2015
  • 5篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法
一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，属于半导体工艺技术领域。本发明采用低温氧气等离子体氧化的干法氧化工艺结合湿法腐蚀氧化层的工艺对III-V族化合物半导体材料进行刻蚀，可以精确控制刻蚀深度(刻蚀精度可达<Imag...
周琦牟靖宇鲍旭汪玲施媛媛靳旸陈博文陈万军张波
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具有结终端混合阳极的高性能AlGaN/GaN功率二极管
本文提出一种具有结终端混合阳极结构(Edge-terminated hybrid anode-ETH)的高性能AlGaN/GaN功率二极管(ETH-Diode).通过优化混合阳极肖特基接触下方势垒层厚度以调制沟道中二维电...
汪玲周琦鲍旭牟靖宇施媛媛刘朝阳陈万军张波
关键词：功率二极管氮化镓结终端
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一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法
一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法，属于材料技术领域，涉及材料表面处理工艺和半导体器件制备工艺。本发明提出一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法，将干法刻蚀后的Ⅲ族氮化物半导体材料浸没在浓度为1％...
周琦鲍旭汪玲牟靖宇施媛媛章晋汉靳旸陈万军张波
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两步刻蚀法制备高性能增强型硅基Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件
本文提出一种适用于Ⅲ-Nitride半导体材料的等离子体干法刻蚀结合氧化/湿法腐蚀的两步刻蚀方法,利用该方法成功制备了一种高性能增强型Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件.该两步刻蚀方法首先使用等离子干法刻...
鲍旭张波周琦汪玲牟靖宇施媛媛章晋汉靳旸黄伟陈万军
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓
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一种GaN异质结功率二极管
本发明涉及半导体器件技术领域，涉及GaN异质结功率二极管。本发明中阳极的肖特基金属淀积在凹槽中而不是直接淀积在异质结表面，并且在凹槽的右下方靠近阴极一侧淀积电介质在阳极形成结终端结构，并通过刻蚀势垒层降低肖特基金属下方沟...
周琦汪玲鲍旭牟靖宇施媛媛尉中杰张波
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AlGaN/GaNHFET功率开关器件新结构研究
功率器件在电源管理、电力传输、工业控制等方面影响着人们的生活。硅基功率器件经过半个多世纪发展，性能已经趋近于理论极限，而现代电力电子系统对功率器件的性能要求越来越高。采用新型半导体材料来提升功率器件性能已经刻不容缓。氮化...
鲍旭
关键词：功率开关
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一种氮化镓基增强型器件的制造方法
本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种氮化镓基增强型器件的制造方法。本发明主要采用两步刻蚀法，第一步为快速刻蚀，使用氯气或氯化硼刻蚀异质结势垒层总厚度的三分之一至三分之二；第二步为慢速刻蚀，采用氧气等离子体反应技术，使...
周琦鲍旭牟靖宇汪玲施媛媛章晋汉靳旸陈万军张波
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一种氮化镓异质结MIS栅控功率二极管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓异质MIS栅控结功率二极管及其制造方法。本发明采用刻蚀阳极肖特基金属下方的势垒层来耗尽肖特基金属下方中的二维电子气，通过在刻蚀出的凹槽中淀积绝缘介质和肖特基金属形成肖特基金属...
周琦陈博文靳旸李健鲍旭施媛媛汪玲陈万军张波
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