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司佳

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 5篇碳纳米管
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米管
  • 4篇橡胶
  • 4篇基片
  • 4篇硅橡胶
  • 2篇形状记忆
  • 2篇形状记忆合金
  • 2篇收缩性
  • 2篇聚甲基丙烯酸
  • 2篇聚甲基丙烯酸...
  • 2篇化学方法
  • 2篇记忆合金
  • 2篇甲基
  • 2篇甲基丙烯
  • 2篇甲基丙烯酸
  • 2篇甲基丙烯酸甲...
  • 2篇合金
  • 2篇丙烯
  • 2篇丙烯酸

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇司佳
  • 4篇彭练矛
  • 4篇张志勇
  • 1篇余晶晶

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2016
  • 2篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法
本发明公开了一种在转移碳纳米管的过程中同时提高其密度的方法。首先将基片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到可沿单一方向收缩的伸缩膜上，如硅橡胶、聚酯、形状记忆合金等具有收缩性的材料；接着沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩此膜，...
司佳张志勇彭练矛
文献传递
借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法
本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其...
司佳张志勇彭练矛
文献传递
一种基于GaN与碳纳米管的CMOS逻辑电路及其制备方法
本发明公开了一种基于GaN与碳纳米管的CMOS逻辑电路及其制备方法。所述CMOS逻辑电路由制备在同一个芯片上的GaN n型晶体管和碳纳米管p型晶体管组成，在衬底上依次层叠缓冲层、电子导电沟道层和势垒层，GaN n型晶体管...
魏进司佳余晶晶樊晨炜杨俊杰
借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法
本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其...
司佳张志勇彭练矛
文献传递
一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法
本发明公开了一种在转移碳纳米管的过程中同时提高其密度的方法。首先将基片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到可沿单一方向收缩的伸缩膜上，如硅橡胶、聚酯、形状记忆合金等具有收缩性的材料；接着沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩此膜，...
司佳张志勇彭练矛
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