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任伟

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:宁波工程学院更多>>
发文基金:宁波市国际科技合作项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇热电性能

机构

  • 1篇宁波工程学院
  • 1篇太原理工大学

作者

  • 1篇孙政
  • 1篇崔教林
  • 1篇孟庆森
  • 1篇任伟
  • 1篇陈少平

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
三元缺陷化合物CuGa_3Te_5的热电性能
2014年
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物Cu Ga3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 e V。经热电性能测试分析,在717 K时Cu Ga3Te5的ZT值达到最大值0.3。
任伟孟庆森陈少平孙政崔教林
关键词:热电性能
共1页<1>
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