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任伟
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1
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供职机构:
宁波工程学院
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宁波市国际科技合作项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈少平
太原理工大学
孟庆森
太原理工大学
崔教林
宁波工程学院
孙政
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三元缺陷化合物CuGa_3Te_5的热电性能
2014年
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物Cu Ga3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 e V。经热电性能测试分析,在717 K时Cu Ga3Te5的ZT值达到最大值0.3。
任伟
孟庆森
陈少平
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崔教林
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热电性能
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