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张玉

作品数：4 被引量：33H指数：3
供职机构：北方液晶工程研究开发中心更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划吉林省杰出青年科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇硅薄膜
  • 1篇电极
  • 1篇多晶硅薄膜晶...
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶显示
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇阵列
  • 1篇退火
  • 1篇能量密度
  • 1篇显示器
  • 1篇金属
  • 1篇金属薄膜
  • 1篇金属电极
  • 1篇晶化
  • 1篇晶体管
  • 1篇激光
  • 1篇激光退火

机构

  • 4篇北方液晶工程...
  • 2篇中国科学院长...

作者

  • 4篇吴渊
  • 4篇张玉
  • 3篇李牧菊
  • 3篇杨柏梁
  • 2篇王大海
  • 2篇邱法斌
  • 2篇张玉
  • 2篇黄锡珉
  • 2篇刘传珍
  • 2篇廖燕平
  • 1篇付国柱
  • 1篇杨柏梁
  • 1篇汪永安
  • 1篇齐晓薇
  • 1篇廖燕平
  • 1篇荆海
  • 1篇骆文生

传媒

  • 3篇液晶与显示
  • 1篇2002中国...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
2000年
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
关键词：晶化多晶硅薄膜退火
一种新的非离子注入方法制备多晶硅薄膜晶体管
TFT-LCD已成为平板显示的主流.作者尝试了一种新的不采用离子注入的方法制备P-Si、TFT单管器件,并取得了初步成功,测得的电流开关比为10<'4>.
付国柱张玉荆海骆文生汪永安吴渊齐晓薇
关键词：多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
文献传递
TFT阵列金属电极的制备与性能被引量：4
2000年
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响 ,得到了制作 TFT器件中优质金属电极的工艺参数。
王大海杨柏梁吴渊刘传珍李牧菊李轶华张玉廖燕平
关键词：磁控溅射金属薄膜金属电极
激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究被引量：25
2000年
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。
刘传珍杨柏梁李牧菊吴渊张玉张玉邱法斌邱法斌
关键词：激光退火能量密度多晶硅薄膜
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