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杨雪娇

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇医药卫生

主题

  • 5篇保护器件
  • 5篇ESD保护
  • 5篇ESD保护器...
  • 4篇隔离区
  • 2篇闩锁
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲作用
  • 2篇晶体管
  • 2篇负反馈
  • 2篇PNP
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇行政
  • 1篇行政监管
  • 1篇氧化层
  • 1篇医疗机构卫生
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇民营

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇杨雪娇
  • 5篇刘毅
  • 5篇刘志伟
  • 5篇田瑞
  • 5篇张国彦
  • 5篇刘凡

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法
本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第...
刘志伟连捷坤纪长志繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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一种基于SCR结构的新型ESD保护器件
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件
本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件
本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P...
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一种基于SCR结构的新型ESD保护器件
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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资中县民营医疗机构卫生行政监管的问题及对策研究
近年来我国国民经济飞速增长、社会发展愈加成熟、人民群众的生活水准进一步提升，把满足人民日益增长的美好生活需要作为一切工作的出发点和落脚点。人民日益增长的美好生活需要就包括对健康生活的追求。为满足人民的需求，国家大力推进医...
杨雪娇
关键词：民营医疗机构
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