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樊永祥

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇砂纸
  • 6篇条纹
  • 6篇ALN薄膜
  • 6篇衬底
  • 4篇图形衬底
  • 4篇技术工艺
  • 4篇SIC
  • 2篇氢气
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇光刻
  • 2篇非极性
  • 2篇氨气
  • 2篇SIC衬底
  • 2篇铟
  • 2篇GAN
  • 1篇氮化
  • 1篇生长速率
  • 1篇实验教学
  • 1篇教学

机构

  • 9篇西安电子科技...

作者

  • 9篇许晟瑞
  • 9篇樊永祥
  • 8篇张进成
  • 8篇姜腾
  • 8篇郝跃
  • 6篇赵颖
  • 4篇林志宇
  • 2篇李培咸
  • 2篇杨林安
  • 2篇周小伟
  • 2篇张春福

传媒

  • 1篇高教学刊

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2017
  • 1篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000...
周小伟赵颖杜金娟许晟瑞张进成樊永祥姜腾郝跃
文献传递
基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑15nm金属Ti；(2)将有...
许晟瑞姜腾郝跃杨林安张进成林志宇樊永祥张春福
文献传递
基于m面SiC衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的m面SiC衬底层、20‑120nm厚的GaN成核层、1500‑5000n...
许晟瑞赵颖彭若诗樊永祥张进成李培咸姜腾郝跃
基于r面SiC图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、...
许晟瑞赵颖彭若诗张进成林志宇樊永祥姜腾郝跃
基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-15nm金属Ti；(2)将有...
许晟瑞姜腾郝跃杨林安张进成林志宇樊永祥张春福
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先进科研测试技术在实验教学中的应用研究
2020年
面对行业需求和学科前沿的快速发展,以增强学生创新能力培养和建立科学研究信心为目的,在本科“微电子科学与工程”专业实验教学平台上,结合西电在宽禁带半导体材料GaN领域的科研优势,通过在实验教学中引入先进的科研测试技术,讨论科学研究促进教学改革的思路。以荧光光谱分析技术在半导体材料参数的测试应用为案例,探讨先进科研测试手段在实验教学中应用的模式、方法和问题等。
樊永祥许晟瑞康海燕
关键词：测试技术实验教学半导体材料
基于r面SiC图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、...
许晟瑞赵颖彭若诗张进成林志宇樊永祥姜腾郝跃
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基于m面SiC衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的m面SiC衬底层、20‑120nm厚的GaN成核层、1500‑5000n...
许晟瑞赵颖彭若诗樊永祥张进成李培咸姜腾郝跃
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基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000...
周小伟赵颖杜金娟许晟瑞张进成樊永祥姜腾郝跃
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