公共文化服务平台

共 5 条记录，以下是 1-5

全选清除导出

排序方式：

c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长被引量：4: 2016年; 采用脉冲激光沉积技术在0°,5°,10°c轴倾斜ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上制备出c轴生长CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜。用X射线衍射Φ扫描分析薄膜与衬底(0001)晶面的结晶取向关系为<1100>CuCrO_2∥<1120>ɑ-Al_2O_3,并进一步通过θ扫描、2θ扫描表征5°和10°c轴倾斜衬底上CuCrO_2薄膜与衬底(0006)晶面之间的倾斜角度差值由0.43°增加到1.76°,得到薄膜c轴外延性随衬底倾斜角变大而变差。AFM观察生长在ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上的CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜为层状形貌,且倾斜衬底上薄膜晶粒尺寸减小,晶界增加。ρ-T测量曲线表明:相比平直衬底,10°倾斜衬底上CuCrO_2薄膜的电阻率略有升高,这是由于倾斜衬底上薄膜结晶质量较差及晶界对载流子散射增强所致,与XRD和AFM结果相一致。; 樊堃虞澜秦梦刘丹丹康冶宋世金陈亮维; 关键词：脉冲激光沉积外延性

c轴择优Ca_3Co_4O_9多晶的热电性质及激光感生横向电压效应被引量：5: 2015年; 采用传统固相反应法制备c轴择优的错层结构Ca3Co4O9多晶材料,用热重-差示扫描量热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜和电阻率–温度曲线、热电势–温度曲线对样品进行了表征,探究了材料热电输运性质和激光感生横向电压(laser induced transverse voltage,LITV)效应。结果表明:在800和870℃分别保温24 h条件下可获得纯相层片状Ca3Co4O9多晶,其(00l)取向因子达0.74。Ca3Co4O9多晶材料在80~300 K、336~826 K分别为金属和半导体电输运行为。336 K时Seebeck系数约130μV/K。由于声子曳引热电势的贡献,随温度升高,热电势增大。以波长为248 nm、脉宽为28 ns、能量密度为17 m J/cm2的脉冲激光照射多晶构造斜面,获得了42 m V的LITV响应,比倾斜外延Ca3Co4O9薄膜中的LITV信号小约2个数量级。由于存在偏离(00l)取向的晶粒和大量晶界,导致本征热电各向异性相互抵消,大大减小了LITV响应。; 宋世金倪佳晏国文傅佳秦梦陈尧易健宏虞澜; 关键词：电输运热电势各向异性

一种多孔陶瓷的制备方法: 本发明公开了一种多孔陶瓷的制备方法，通过下述技术方案予以实现：以SrCO3、Y2O3、Co3O4和CuO为原料...; 虞澜杜小丽秦梦李国芳宋世金; 文献传递

具有c轴择优的CuCr1-xMgxO2多晶的热电输运性质及Mg掺杂效应被引量：2: 2019年; 采用固相反应法制备了c轴择优的CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.08)系列多晶,通过X射线衍射、扫描电镜和电阻率-温度曲线、Seebeck系数-温度曲线对样品的结构、热电输运和固溶度进行表征研究。随Mg掺杂量在x=0~0.03范围内增加,多晶为铜铁矿单相结构,层状晶粒在ab面显著长大,(00l)取向因子最大达0.53,晶界和孔隙显著减少,致密度依次提高;多晶呈热激活机制的半导体电输运行为,热激活能从0.273eV下降到0.031eV,室温电导率相应提高了3~4个数量级,高温下Seebeck系数从481.2μV·K^-1减小到334.7μV·K^-1。由于声子曳引的贡献,随温度升高,掺Mg样品的Seebeck系数增大。x>0.03后,样品的热电输运性质基本保持不变,微观结构变化不大,在晶界处观察到MgCr2O4八面体尖晶石第二相,分析认为Mg掺杂的最大固溶度约为0.03。随Mg^2+替代Cr^3+的增加,在靠近价带顶的上方引入受主能级并展宽,使电输运的热激活能显著下降,空穴载流子浓度增大;同时c轴择优取向使面内的输运分量增加,这都是电导率提高的主要原因,而载流子迁移率浮动是电导率提高的次要原因。; 崔凯虞澜刘安安秦梦宋世金沈艳; 关键词：固溶度电导率 SEEBECK系数

一种多孔陶瓷的制备方法: 本发明公开了一种多孔陶瓷的制备方法，通过下述技术方案予以实现：以SrCO3、Y2O3、Co3O4和CuO为原料...; 虞澜杜小丽秦梦李国芳宋世金; 文献传递

全选清除导出

共1页<1>

秦梦