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陈昭

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇阻挡层
  • 3篇发光
  • 2篇异质结
  • 2篇双异质结
  • 2篇空穴
  • 2篇空穴阻挡层
  • 2篇二极管
  • 2篇发光二极管
  • 2篇SUB
  • 1篇电致发光
  • 1篇电子阻挡层
  • 1篇多色
  • 1篇窄谱
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外光电探测...
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇HFO
  • 1篇LT

机构

  • 3篇武汉大学

作者

  • 3篇陈昭
  • 2篇王皓宁
  • 2篇方国家
  • 2篇龙浩
  • 2篇李颂战
  • 2篇莫小明

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ZnO异质结电致发光和光电探测器件研究
第三代直接带隙宽禁带半导体氧化锌（ZnO）,因其具有大的禁带宽度（3.37 eV）,高的激子束缚能（60meV）,资源丰富,无毒无污染,而且容易被湿法刻蚀等优点,近年来受到了广泛的研究与关注。尤其是在发光二极管和紫外光电...
陈昭
关键词：电子阻挡层
文献传递
一种Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/ZnO/HfO<sub>2</sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/ZnO/HfO<Sub>2</Sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法。该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO<Sub>2</Sub>电子阻挡层...
方国家王皓宁龙浩李颂战莫小明陈昭
文献传递
一种Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/ZnO/HfO<Sub>2</Sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/ZnO/HfO<Sub>2</Sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法。该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO<Sub>2</Sub>电子阻挡层...
方国家王皓宁龙浩李颂战莫小明陈昭
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