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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇乙烯
  • 1篇四氟乙烯
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇纤维布
  • 1篇相对介电常数
  • 1篇介电
  • 1篇聚四氟乙烯
  • 1篇基板
  • 1篇氟乙烯
  • 1篇覆盖剂
  • 1篇PTFE
  • 1篇GASB
  • 1篇GASB单晶
  • 1篇玻璃纤维
  • 1篇玻璃纤维布
  • 1篇大尺寸

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇张志鹏
  • 1篇徐永宽
  • 1篇程红娟
  • 1篇马春喜
  • 1篇庞子博
  • 1篇李璐杰
  • 1篇张颖武
  • 1篇练小正
  • 1篇杨东海

传媒

  • 1篇现代塑料加工...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
1037型玻璃纤维布增强PTFE复合基板的制备
2022年
以玻璃纤维布聚四氟乙烯(PTFE)浸渍片、PTFE薄膜和铜箔为原料,采用层压法制得了一系列复合基板。结果表明:复合基板的介质层厚度约0.250 mm、相对介电常数2.120~2.540、损耗因子不大于0.00140,复合基板介质层相对介电常数与原料体积分数之间关系符合Lichtenecker对数法则。
庞子博杨东海马春喜张志鹏
关键词:聚四氟乙烯基板玻璃纤维布相对介电常数
大尺寸高质量GaSb单晶研究被引量:1
2016年
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成。通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶。此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm^(-2);同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm^2/V·s,载流子浓度达到了1.68×10^(17)cm^(-3)。
练小正李璐杰张志鹏张颖武程红娟徐永宽
关键词:GASB位错密度覆盖剂
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