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杜燕燕

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 4篇介孔
  • 3篇氮化碳
  • 2篇氧化物
  • 2篇原位生长
  • 2篇质量比
  • 2篇四氧化三钴
  • 2篇前驱体
  • 2篇煅烧
  • 2篇稳定性
  • 2篇无定形
  • 2篇锰氧化物
  • 2篇摩尔比
  • 2篇介孔结构
  • 2篇孔结构
  • 2篇粉体
  • 2篇高稳定
  • 2篇高稳定性
  • 2篇八面体
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇施剑林
  • 8篇杜燕燕
  • 4篇黄为民
  • 4篇张玲霞
  • 4篇吴玫颖
  • 4篇李孟丽
  • 4篇王进
  • 2篇华子乐
  • 2篇王敏

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法
本发明涉及一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法，包括以下步骤：步骤1）将类石墨氮化碳前驱体、硬模板SiO<Sub>2</Sub>球分散在水中，在25～50℃下搅拌10～60分钟，其中，所述类石墨氮化碳前驱体与水的质...
李孟丽张玲霞吴玫颖杜燕燕施剑林
文献传递
一种四氧化三钴粉体及其制备方法
本发明涉及一种四氧化三钴粉体及其制备方法，所述制备方法包括：（1）在乙酸钴水溶液中逐滴加入乙醇胺形成混合液，其中乙酸钴与乙醇胺的摩尔比为1∶（3～6）；（2）将所得的混合液于超声功率为350～500W、超声频率为50～1...
杜燕燕施剑林黄为民王进
文献传递
一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法
本发明涉及一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法，步骤包括：（1）将六元环固态有机物与g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>前驱体按1～50 mg：1～20 g的比例混合，研磨；（2）将...
李孟丽张玲霞杜燕燕吴玫颖王敏施剑林
文献传递
一种无定形锰氧化物及其制备方法
本发明涉及一种无定形锰氧化物及其制备方法，所述无定形锰氧化物为掺杂K的锰氧化物八面体层状材料，K与Mn之间的摩尔比为（0.11‑0.33）：1。
杜燕燕华子乐施剑林黄为民王进
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一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法
本发明涉及一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法，包括以下步骤：步骤1）将类石墨氮化碳前驱体、硬模板SiO<Sub>2</Sub>球分散在水中，在25～50℃下搅拌10～60分钟，其中，所述类石墨氮化碳前驱体与水的质...
李孟丽张玲霞吴玫颖杜燕燕施剑林
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一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法
本发明涉及一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法，步骤包括：（1）将六元环固态有机物与g-C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>前驱体按1～50mg：1～20g的比例混合，研磨；（2）将研磨...
李孟丽张玲霞杜燕燕吴玫颖王敏施剑林
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一种无定形锰氧化物及其制备方法
本发明涉及一种无定形锰氧化物及其制备方法，所述无定形锰氧化物为掺杂K的锰氧化物八面体层状材料，K与Mn之间的摩尔比为（0.11-0.33）：1。
杜燕燕华子乐施剑林黄为民王进
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一种四氧化三钴粉体及其制备方法
本发明涉及一种四氧化三钴粉体及其制备方法，所述制备方法包括：（1）在乙酸钴水溶液中逐滴加入乙醇胺形成混合液，其中乙酸钴与乙醇胺的摩尔比为1∶（3～6）；（2）将所得的混合液于超声功率为350～500W、超声频率为50～1...
杜燕燕施剑林黄为民王进
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