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文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 9篇石墨
  • 9篇石墨烯
  • 5篇晶体管
  • 4篇感器
  • 4篇场效应
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇电极
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇光刻
  • 3篇背栅
  • 2篇低频噪声
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子输运
  • 2篇双栅
  • 2篇温度传感器
  • 2篇陷阱电荷
  • 2篇金膜

机构

  • 11篇西安电子科技...

作者

  • 11篇张鹏
  • 11篇庄奕琪
  • 11篇马中发
  • 11篇吴勇
  • 11篇冯元博
  • 6篇郭超

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其制备方法
一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管,包括六方氮化硼作衬底,源电极,漏电极,所述晶体管还包括:底栅金属电极,淀积在所述衬底上;背栅介质,单层石墨烯,顶栅介质,顶栅金属电极,将所述底栅金属电极与所述顶栅金属电极连接,其中,多层...
马中发张鹏吴勇庄奕琪肖郑操赵钰迪郭超冯元博
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一种石墨烯温度传感器及其制备工艺
本发明公开了一种石墨烯温度传感器及其制备工艺,其结构从上到下依次为:顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO<Sub>2</Sub>层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO<Sub>2</Sub>层、Si衬底、背栅电极。采...
张鹏马中发吴勇庄奕琪赵钰迪冯元博陈祎坤
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一种石墨烯温度传感器及其制备工艺
本发明公开了一种石墨烯温度传感器及其制备工艺,其结构从上到下依次为:顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO<Sub>2</Sub>层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO<Sub>2</Sub>层、Si衬底、背栅电极。采...
张鹏马中发吴勇庄奕琪赵钰迪冯元博陈祎坤
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一种大规模h-BN介质石墨烯集成电路制备方法
本发明属于半导体器件与半导体工艺领域,其目的在于提出一种大规模h-BN介质石墨烯集成电路制备方法,利用催化金属衬底上h-BN和石墨烯选择生长的特性,通过对催化金属层的光刻,实现对外延生长的h-BN层与石墨烯层图形的控制,...
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一种基于低频噪声的ESD监测设备
一种基于低频噪声的ESD监测设备,其特征在于,所述设备包括ESD传感器,以及用于接收所述传感器数据的ESD分析系统。本发明有益效果在于:ESD传感器可多次经受0~10000V HBM ESD放电,并记录ESD幅度信息;可...
马中发吴勇张鹏庄奕琪赵钰迪郭超肖郑操冯元博
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一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆及其制备方法
一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆,其特征在于,所述晶圆结构自上而下依次为:石墨烯单晶层,h-BN单晶层,h-BN缓冲层,以及SiO2/Si晶圆衬底。本发明有益效果在于,所述晶圆不但可以充分兼容现有的硅基半导体器件生产工艺,还...
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一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其制备方法
一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管,包括六方氮化硼作衬底,源电极,漏电极,所述晶体管还包括:底栅金属电极,淀积在所述衬底上;背栅介质,单层石墨烯,顶栅介质,顶栅金属电极,将所述底栅金属电极与所述顶栅金属电极连接,其中,多层...
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一种大规模h-BN介质石墨烯集成电路制备方法
本发明属于半导体器件与半导体工艺领域,其目的在于提出一种大规模h-BN介质石墨烯集成电路制备方法,利用催化金属衬底上h-BN和石墨烯选择生长的特性,通过对催化金属层的光刻,实现对外延生长的h-BN层与石墨烯层图形的控制,...
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一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆及其制备方法
一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆,其特征在于,所述晶圆结构自上而下依次为:石墨烯单晶层,h-BN单晶层,h-BN缓冲层,以及SiO2/Si晶圆衬底。本发明有益效果在于,所述晶圆不但可以充分兼容现有的硅基半导体器件生产工艺,还...
马中发张鹏吴勇庄奕琪肖郑操赵钰迪郭超冯元博
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一种石墨烯中远红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯中远红外探测器及其制备方法,该红外探测器包含一层石墨烯薄膜,其基本单元为一个以胶体量子点层作为光控顶栅的石墨烯红外光电晶体管。该器件克服了石墨烯对光的吸收率低的问题,同时石墨烯沟道的电学可调特性得到...
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共2页<12>
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