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常磊

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇溶液浸泡
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇铁电存储器
  • 2篇铁电体
  • 2篇铁电性
  • 2篇晶体薄膜
  • 2篇存储器
  • 1篇温下
  • 1篇无定形
  • 1篇基片

机构

  • 3篇南京理工大学

作者

  • 3篇马赫
  • 3篇高文秀
  • 3篇常磊
  • 3篇袁国亮

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法
本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜，具备铁电性，其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触，并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜，并将制得的均匀薄...
袁国亮马赫常磊高文秀
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室温下在无定形基片上生长C3N2H5ClO4准单晶铁电膜
C3N2H5ClO4 分子铁电体具有单一铁电极化轴和3m 点群,与LiNbO3 类似.它在室温至100 度具有较大的铁电极化、较小的铁电矫顽场.通过水溶液法,在室温附近,在无固定形态的Pt 或石英基片上生长了C3N2H5...
袁国亮高文秀马赫常磊
一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法
本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜，具备铁电性，其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触，并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜，并将制得的均匀薄...
袁国亮马赫常磊高文秀
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