您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇扫描式
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率器件
  • 1篇深紫外
  • 1篇生长介质
  • 1篇迁移率
  • 1篇挖槽
  • 1篇外延片
  • 1篇结温
  • 1篇晶体管
  • 1篇宽带
  • 1篇功率管
  • 1篇功率器件
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻工艺
  • 1篇光刻机
  • 1篇放大器
  • 1篇分布式放大器

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇蔡利康
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇高建峰
  • 1篇彭劲松
  • 1篇吴少兵

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2015
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种氮化镓高线性高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提出的是一种氮化镓高线性高电子迁移率晶体管及其制备方法,主要解决现有器件跨导的线性度差的问题,属于射频功率器件领域。本发明采用栅局域挖槽技术,将栅下势垒层局域减薄,通过调整挖槽宽度和挖槽深度来抑制栅源电流饱和,同时...
张亦斌吴少兵蔡利康陈堂胜
实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法
本发明是一种通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法,包括:1)Si片校准扫描式光刻机焦平面参数;2)在GaAs外延片表面生长一层介质;3)生长介质的GaAs外延片校准扫描式光刻机的焦平面参数;4)Ga...
蔡利康彭劲松高建峰
文献传递
基于0.15μm GaN工艺的2~18 GHz两级分布式放大器被引量:3
2021年
介绍了一款2~18 GHz的宽带放大器MMIC,该MMIC利用0.15μm GaN HEMT工艺设计加工,采用两级分布式结构设计,实现了较高的整体电路增益。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。在2~18 GHz工作频率范围内,电路小信号增益>20 d B,增益平坦度<±1.5 d B,输入输出回波损耗<-10 d B,输出功率>30 d Bm,功率附加效率(PAE)>7%,电路工作电压为25 V,最大功耗为7 W,芯片面积为4.5 mm×2.5 mm。
贾洁蔡利康
关键词:超宽带
共1页<1>
聚类工具0