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加载功率与壳温对AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响被引量：7: 2016年; 结温是制约器件性能和可靠性的关键因素,通常利用热阻计算器件的工作结温.然而,器件的热阻并不是固定值,它随器件的施加功率、温度环境等工作条件的改变而变化.针对该问题,本文以CREE公司生产的高速电子迁移率晶体管(HEMT)器件为研究对象,利用红外热像测温法与Sentaurus TCAD模拟法相结合,测量研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同加载功率以及管壳温度下热阻的变化规律.研究发现:当器件壳温由80°C升高至130°C时,其热阻由5.9°C/W变化为6.8°C/W,增大15%,其热阻与结温呈正反馈效应;当器件的加载功率从2.8 W增加至14 W时,其热阻从5.3°C/W变化为6.5°C/W,增大22%.对其热阻变化机理的研究发现:在不同的管壳温度以及不同的加载功率条件下,由于材料导热系数的变化导致其热阻随温度与加载功率的变化而变化.; 郭春生李世伟任云翔高立冯士维朱慧; 关键词：热阻

多路晶体管BE结结温测量装置: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA...; 廖之恒郭春生吕贤亮高立李世伟冯士维朱慧

北京城市社区体育馆设计研究: 随着经济的发展与人们生活水平的提高,我国体育事业取得了长足的进步。尤其是近几年来,我国举办了一系列大型的国际和国内赛事。竞技体育的发展促进了大众体育的开展,社区体育作为大众体育的重要组成部分是我国进入21世纪后体育事业的...; 高立

AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理: 2016年; 基于温度步进应力实验,研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现：在结温为139~200℃时,AlGaN/GaN HEMT器件的漏源电流随退化时间逐渐减小;而在结温为200~352℃时,漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表明：结温低于200℃时,AlGaN施主原子的离化导致肖特基势垒高度升高;而在结温高于200℃时,表面氧杂质的扩散导致肖特基势垒高度逐渐降低。通过计算肖特基势垒高度,进一步定量的验证势垒高度的变化。而势垒高度的变化又引起阈值电压的漂移,进而影响漏源电流的变化。因此漏源电流的退化主要是由于势垒高度的变化引起的。; 郭春生任云翔高立冯士维李世伟; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 结温

一种HEMT器件结温的测试方法: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HE...; 郭春生高立李世伟冯士维任云翔; 文献传递

多路晶体管BE结结温测量装置: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA...; 廖之恒郭春生吕贤亮高立李世伟冯士维朱慧; 文献传递

单点Hopf代数模上的不变双线性型: 1975年，DavidE.Radford在域k上构造了两类有限维点Hopf代数.1999年，他又继续研究了“单点Hopf代数”的结构和性质，并且给出了一个有用的引理使得我们可以判定有限维点Hopf代数是否为有限维单点Ho...; 高立; 关键词：不变双线性型不可分解模投射模; 文献传递

一种HEMT器件结温的测试方法: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HE...; 郭春生高立李世伟冯士维任云翔; 文献传递

一种半导体器件界面热阻的测试方法: 一种半导体器件界面热阻的测试方法，在防自激电路保证半导体器件不会产生自激的条件下，基于电学法热阻测试仪对器件的瞬态温升进行测量，利用结构函数法对器件内部多层材料热阻、热容进行分析，提取芯片热阻值。利用提取的芯片热阻值，得...; 郭春生廖之恒高立李世伟冯士维朱慧; 文献传递

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高立