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分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应: 2017年; 采用分子束外延生长方法在In Sb(100)衬底上生长p^+-p^+-n-n^+势垒型结构的In_(1-x)Al_xSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,In Al Sb外延层的半峰宽为0.05°,表明外延材料的单晶性能良好,并通过布拉格方程和维戈定律计算出Al组分为2.5%。然后将外延材料制备成多元红外探测并测得77~210 K下的光谱响应曲线,实验发现探测器的截止波长从77 K时的4.48μm增加至210 K时的4.95μm。通过数据拟合得出In_(0.975)Al_(0.025)Sb禁带宽度的Varshni关系式以及其参数E_g(0)、α和β的值分别为0.238 6 e V,2.87×10^(-4 )e V/K,166.9 K。经I-V测试发现,在110 K,-0.1 V偏压下,器件的暗电流密度低至1.09×10^(-5 )A/cm^(-2),阻抗为1.40×10~4Ωcm^2,相当于77 K下In Sb探测器的性能。同时分析了温度对器件不同类型的暗电流的影响程度,并得到器件的扩散电流与产生-复合电流的转变温度约为120 K。; 陈刚李墨吕衍秋朱旭波朱旭波; 关键词：分子束外延光电特性红外探测器

用于宽波段红外探测的InAs/GaSbⅡ型超晶格结构光学性质研究: 2021年; InAs/GaSbⅡ型超晶格因其特殊的能带结构及成熟的材料生长技术,被视为第三代红外探测器的优质材料。本文介绍了长、短波红外探测用的InAs/GaSbⅡ型超晶格探测器结构的光学性质,对比超晶格和衬底的拉曼光谱,指认了结构中存在的主要拉曼振动模式,分波段光致发光谱揭示了器件存在近红外和远红外双波段特性。通过反射光谱、光电流谱以及宽波段红外透射光谱,表征了短波红外和长波红外的明显吸收特性,合理解释了基于InAs/GaSbⅡ型结构在近、中、远红外波段的探测功能。研究结果可为研制基于InAs/GaSbⅡ型超晶格的双/多/宽波段红外探测器的结构设计和机理分析提供指导。; 李红凯李墨董尚威洪进陈晔陈晔敬承斌越方禹; 关键词：INAS/GASB

一种非制冷型毫米波/红外叠层探测器: 本发明涉及一种非制冷型毫米波/红外叠层探测器，包括微带天线、非制冷型探测器元件和读出电路，微带天线通过粘合剂粘贴在非制冷型探测器元件背面，非制冷型探测器元件的正面通过连接柱与读出电路连接；所述微带天线的绝缘介质基片的一面...; 郭云芝安宁穆学桢孙维国李墨赵书敏陈洪许; 文献传递

InAlSb红外光电二极管性能研究被引量：1: 2017年; 在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10^(-6)A·cm^(-2)和7.8×10^(-6)A·cm^(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。; 朱旭波李墨陈刚张利学曹先存吕衍秋; 关键词：INSB 钝化红外探测器

一种基于石墨烯的三模复合探测器: 本发明涉及一种基于石墨烯的三模复合探测器，所述的三模探测器包括最底层的基座，基座上面由下到上依次间隔设置第一探测器元件、第二探测器元件和微带天线；第一探测器元件固定在基座上，第二探测器元件和微带天线的两端通过支架固定在基...; 李墨韩德宽孙珞珂段磊孙维国陈洪许张亮朱旭波; 文献传递

一种石墨烯微带天线及其制备方法: 本发明属于多模复合探测或通讯技术中的天线技术，所发明的一种透光（含紫外、可见光与红外）的石墨烯微带天线，由绝缘介质基片1、石墨烯薄膜贴片2、石墨烯薄膜接地片3和与石墨烯薄膜贴片良好欧姆接触的馈线4组成。本发明利用透光的石...; 孙维国王铮张亮朱旭波鲁正雄杨晖陈洪许张闻涛赵亮李墨韩德宽; 文献传递

一种毫米波八木天线及其制备方法: 本发明公开了一种毫米波八木天线及其制备方法，该毫米波八木天线的天线本体包括沿辐射方向依次层叠设置的六层介质基片；从上到下第四层介质基片的上表面设有有源振子、下表面设有接地板，第二层、第三层介质基片的上表面相对位置均设有引...; 张艳君朱旭波范中国李墨孙维国; 文献传递

小像元InSb红外焦平面器件光电性能仿真被引量：1: 2022年; 小像元是InSb红外焦平面器件制备的发展方向之一,但其会对器件的光电流响应和串音产生很大影响。因此使用Sentaurus TCAD软件建立了小像元InSb红外焦平面阵列器件的台面结器件模型、平面结器件模型和外延结构器件模型,采用背照射的3个像素单元的InSb阵列器件仿真了3种器件结构的光电流响应和串音。结果表明,台面结器件和平面结器件可以通过减小器件厚度和增加结深的方法来增加光电流响应和减少串音;外延结构器件可以通过增加吸收层厚度和选择合适的掺杂浓度来改善光电流响应和串音。综合考虑工艺难度影响,对小像元InSb红外焦平面阵列器件,建议采用深离子注入的平面结结构和采用分子束外延制备的厚度和掺杂浓度可控的外延结构。; 朱旭波李墨李墨吕衍秋; 关键词：INSB 串音

一种非制冷型毫米波/红外叠层探测器: 本发明涉及一种非制冷型毫米波/红外叠层探测器，包括微带天线、非制冷型探测器元件和读出电路，微带天线通过粘合剂粘贴在非制冷型探测器元件背面，非制冷型探测器元件的正面通过连接柱与读出电路连接；所述微带天线的绝缘介质基片的一面...; 郭云芝安宁穆学桢孙维国李墨赵书敏陈洪许; 文献传递

InAlSb材料禁带宽度的温度特性研究被引量：1: 2021年; 基于经典Varshni模型,提出了In 1-x Al x Sb的能带值E g随Al组分和温度变化的经验关系E g(x,T),并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证。实验上,采用分子束外延方法在InSb(100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层。运用高分辨率X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,计算得出Al组分为2.8%。然后将InAlSb材料制备成红外探测器二极管并测量77~260 K下的光谱响应曲线,从而计算出In 0.972 Al 0.028 Sb材料的能带值随温度的变化关系。对比分析的结果表明:实验观察和文献数据均与理论推导基本吻合。InAlSb能带值与Al组分和温度变化关系的确定为探测器材料结构设计提供了必要的理论支撑。; 张宏飞杨瑾焜陈刚李墨; 关键词：禁带宽度 MBE 光谱响应温度特性红外探测器

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李墨