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梁涛

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：四川长虹电器股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电场
  • 3篇漂移
  • 3篇显示器
  • 2篇等离子显示
  • 2篇等离子显示器
  • 2篇低电阻
  • 2篇低压管
  • 2篇电场分布
  • 2篇电路
  • 2篇电平位移
  • 2篇电阻
  • 2篇行扫描
  • 2篇寻址
  • 2篇源极
  • 2篇芯片
  • 2篇漏极
  • 2篇埋氧层
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇集成电路
  • 2篇寄生

机构

  • 9篇四川长虹电器...

作者

  • 9篇梁涛
  • 5篇黄勇
  • 5篇孙镇
  • 5篇罗波
  • 4篇黄光佐
  • 2篇廖红
  • 1篇时龙兴
  • 1篇李海松
  • 1篇吴虹
  • 1篇孙伟锋
  • 1篇邓江

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
差分接口电路
本实用新型涉及等离子平板显示技术领域，尤其涉及用于等离子平板显示器的驱动芯片中的差分接口电路。本实用新型提供了采用双比例镜像电流源做负载管的差分接口电路，有利于减小芯片版图面积。本实用新型的主要技术方案是：PMOS管M1...
孙伟锋梁涛时龙兴李海松吴虹邓江
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绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。本发明针对现有技术SOI基LDMOS器件中，仅部分漂移区参与导电的问题，公开了一种SOI基横向双扩散金属氧化物半导体器件，利用漂移区n型杂质条和p型杂质条...
梁涛罗波孙镇廖红黄勇黄光佐
SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有SOILDMOS器件击穿时电场分布呈现两端高、中间低，其不能充分利用漂移区的问题，提供了一种SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法，其技术方案可概括为：SOI变埋氧层厚度器件，包括源极、...
梁涛罗波
一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法
本发明提供了一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法的技术方案，该方案利用对行扫描芯片的输出端进行分组控制，同时在低压管输入端加入钳位管和PN结电容，能够有效地降低在行扫描芯片高压并发动作的过程中由于穿通带...
孙镇黄勇黄光佐梁涛
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SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有SOILDMOS器件击穿时电场分布呈现两端高、中间低，其不能充分利用漂移区的问题，提供了一种SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法，其技术方案可概括为：SOI变埋氧层厚度器件，包括源极、...
梁涛罗波
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一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法
本发明提供了一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法的技术方案，该方案利用对行扫描芯片的输出端进行分组控制，同时在低压管输入端加入钳位管和PN结电容，能够有效地降低在行扫描芯片高压并发动作的过程中由于穿通带...
孙镇黄勇黄光佐梁涛
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一种冰箱
本申请提供了一种冰箱，解决了现有技术中的冰箱存在的不能自动检测冰箱内存放食品的信息的技术问题，实现了冰箱自动检测冰箱内存放食品的信息的技术效果。所述冰箱包括：冰箱主体，所述冰箱主体包括有具有食品容置空间的食品容置体；隔板...
黄勇李昱兵梁涛
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体内场调制的体硅LDMOS器件
本发明涉及半导体功率器件的技术。本发明解决了现有常规体硅LDMOS器件只关注该器件表面电场优化的问题，提供了一种体内场调制的体硅LDMOS器件，其技术方案可概括为：体内场调制的体硅LDMOS器件，其在第一型杂质衬底中水平...
梁涛罗波孙镇
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绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。本发明针对现有技术SOI基LDMOS器件中，仅部分漂移区参与导电的问题，公开了一种SOI基横向双扩散金属氧化物半导体器件，利用漂移区n型杂质条和p型杂质条...
梁涛罗波孙镇廖红黄勇黄光佐
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