王淑英
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺核科学技术更多>>
- 大角度晶界的正电子湮没研究被引量：1
- 1989年
- 从两态捕获模型出发,导出了正电子平均寿命与晶粒大小之间的关系,并且预言了晶界正电子饱和捕获效应的存在。在实验上,通过对Zn-22wt％Al合金大角度晶界正电子捕获效应的观察,验证了上述关系,并对大角度晶界正电子捕获效应的一般情况予以讨论。
- 周先意蒋惠林王淑英姜健龙期威
- 关键词：晶界正电子湮没金属
- γ－辐照聚（2，6－萘二甲酸乙二酯）的正电子湮没寿命谱及热释电研究被引量：2
- 1996年
- 用正电子湮没寿命谱（ＰＡＬＳ）及热释电（ＴＳＣ）方法相结合研究了γ－辐照聚（２，６萘二甲酸乙二酯）（ＰＥＮ）。由ＰＡＬＳ测得随辐照剂量的增加，ＰＥＮ中自由体积减少，这说明分子链堆砌紧密，分子间距离减少。而ＴＳＣ的结果表明，ＰＥＮ中载流子陷阱深度变浅，空穴注入数量增加。这两种实验结果说明分子间距离减小降低了导带的能级，从而使陷阱变浅，空穴注入增加。另外，γ辐照产生的交联与降解引起ＰＥＮ中可运动分子链段数量的变化与ＴＳＣ中初始载流子浓度有很好的相关性，说明热运动引起分子链间距离的变化有利于载流子的链间跃迁。
- 吕素平许海燕漆宗能王淑英
- 关键词：PALS热释电
- 正电子湮没时间选择能谱仪的改进研究
- 设计并采用小型高场强磁铁,采用优质BaF2晶体作为射线探测器并加适当磁屏蔽, 获得正电子湮没时间选择能谱仪在磁场下的时间分辨率为FWHM=260 ps,谱仪已应用到电子偶素物理的研究中。
- 张天保王海东王淑英杨广明
- 文献传递
- 工作于磁场中的正电子寿命谱仪的改进
- 1991年
- 一、引言 在已往的电子偶素(正电子和电子形成的类似氢原子的束缚态)磁猝灭实验中,有关正电子寿命谱仪的探测器经常采用塑料闪烁体或BaF_2闪烁体,由于光电倍增管不能在磁场中正常工作,毫无例外地使用长光导连接于闪烁体和光电倍增管之间。
- 王海东张天保王淑英杨广明
- 关键词：电子偶素正电子
- 聚对苯二甲酸乙二酯中正电子湮没寿命参数温度效应的研究被引量：2
- 1992年
- 对聚对苯二甲酸乙二酯的非晶、低温热处理(54℃)、高温热处理(180℃)以及双轴拉伸等四种不同试样,测量了室温到180℃范围内不同温度在的正电子湮没寿命谱.根据最小二乘曲线拟合解谱结果,可知最长寿命成份的湮没参数τ和I的温度曲线分别灵敏地反映了聚对苯二甲酸乙二酯的玻璃转变过程和结晶过程.据此讨论了正电子湮没寿命参数与PET转变的关联以及PET玻璃转变的有关性质.
- 王淑英农笔耕张天保王海东
- 关键词：聚酯PET正电子湮没玻璃化转变
- 用高纯锗γ-谱仪借助滑动比较方法精密测量放射性核的γ-射线能量被引量：1
- 1993年
- 以^(192)Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(~7Be)、511852.70±0.58eV(^(106)Ru)、514004.87±0.52eV(^(85)Sr)、520399.01±0.63eV(^(83)Rb)、529594.48±0.69eV(^(83)Rb)和552551.14±0.68eV(^(83)Rb)。用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合。
- 张天保王淑英王海东沈智奇孟伯年
- 关键词：Γ谱仪Γ辐射
- 以eV为单位测量电子静止质量
- 1992年
- 以^(192)Ir的γ射线的能量准确值作为比较标准,用高纯锗γ谱仪测出正电子在充氧气的气凝硅胶中湮没γ射线能量的平均值,与在真空气凝硅胶中湮没γ能量相比较,定出仲态电子偶素湮没γ能量,经对电子偶素运动的相对论效应及电子偶素结合能等修正,得出电子静止质量m_0c^2=510998.80±0.74eV.实验结果与电子静止质量的最近调节值在误差内一致.
- 张天保王海东王淑英沈智奇杨广明孟伯年
- 关键词：电子偶素
- 聚四氟乙烯中正电子湮没寿命谱中等寿命成份湮没过程性质研究被引量：3
- 1990年
- 用时间选择能谱仪-磁猝灭测量方法并经适当数据处理,研究了聚四氟乙烯高聚物中正电子湮没寿命谱中等成份(～lns)的湮没过程性质.确定其为自旋三重态正电子素即o-Ps的猝灭。
- 王淑英张天保申屠雁明王海东杨广明
- 关键词：正电子湮没寿命谱猝灭
- γ-辐照高聚物的正电子湮没寿命谱研究被引量：2
- 1994年
- 用正电子湮没寿命谱(PALS)研究高聚物凝聚态结构和转变过程已有一些报道.在高聚物中,正电子可以以自由状态存在,也可以与分子电子形成束缚态,即电子偶素(Ps),此二者都优先局域于电子密度较低的区域,如自由体积中,因其湮没寿命与电子密度成反比,因此其湮没的结果能反映有关自由体积的信息.一般认为PALS中最长寿命成分(对应于正态Ps或o-Ps的湮没)其寿命τ_3反映自由体积的大小,其强度I_3反映自由体积的数量.
- 吕素平漆宗能王淑英石践
- 关键词：PALS高聚物Γ辐射自由体积
