胡玉松
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 快速瞬态响应无片外电容LDO研究与设计
- 伴随着智能终端设备，如手机、手环、手表、电视以及日趋火爆的智能家居等迅速发展，各类电子产品已经融入人们不可或缺的日常生活中。电源管理芯片作为电子产品的核心成分，不但使得产品体积减小、成本降低，功耗也在不停的降低，迎合了如...
- 胡玉松
- 关键词：瞬态响应参数优化
- 文献传递
- 一种高增益快速响应且无片外电容型LDO设计被引量：3
- 2015年
- 设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其瞬态响应速度极快,且增益高、带宽宽,输入电压范围为2.8V^5.0V,输出电压2.4V。使用HSPICE仿真验证了直流、交流、瞬态、温度等特性。在Typical工艺角情况下,负载电流以100mA/1μs突变时,输出电压突变量最大为89mV。重载与轻载模式下电压差也仅为16.8mV,在两种极端工艺角条件下,输出电压突变量最大108mV。此LDO无片外电容,整个片内补偿电容仅为4pF,3dB带宽为4068Hz,0dB带宽高达52MHz。
- 胡玉松冯全源
- 关键词：电源管理低压差线性稳压器瞬态响应宽带宽无片外电容
- 一款600V VDMOS终端结构的设计被引量：8
- 2014年
- 设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.
- 胡玉松冯全源陈晓培
- 关键词：功率器件终端表面电场耐压
