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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电路
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  • 2篇存储电荷
  • 2篇存储器
  • 1篇陷阱电荷
  • 1篇浮栅

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇张兴
  • 2篇王新安
  • 2篇王阳元
  • 2篇康晋锋
  • 2篇韩汝琦
  • 2篇杨竞峰

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
非挥发性存储器器件结构
本发明提供一种非挥发性存储器器件结构,属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的陷阱电荷存储层、位于陷阱电荷存储层之上的栅阻挡层以及位...
康晋锋杨竞峰刘晓彦张兴王新安韩汝琦王阳元
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非挥发性存储器器件结构
本发明提供一种非挥发性存储器器件结构,属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的类浮栅电荷存储层、位于类浮栅电荷存储层之上的栅阻挡层以...
康晋锋杨竞峰刘晓彦张兴王新安韩汝琦王阳元
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共1页<1>
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