许诺
- 作品数：16 被引量：0H指数：0
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 门控电源中窄矩形区域电源开关单元插入方法及系统
- 针对门控电源物理实现中EDA工具不能很好地处理窄矩形区域电源开关单元插入问题，本发明公开了一种门控电源中窄矩形区域电源开关单元插入方法及系统，本发明包括依次按指定的间距m自底向上插入电源开关单元直至到达窄矩形区域顶部并将...
- 冯超超赵振宇何小威乐大珩马驰远黄鹏程许诺赵学谦
- 一种面向能耗优化的存内逻辑综合映射方法及系统
- 本发明公开了一种面向能耗优化的存内逻辑综合映射方法及系统，本发明方法包括将能耗信息作为面积参数，并使用综合工具以最小面积为目标，将输入的原始逻辑函数转化为由基本逻辑门的功能构成的综合后网表，从中获取可合并为复合逻辑门的候...
- 许诺胡钇宏刘康潘炳征冯超超池雅庆薄子怡赵安宁谭承浩
- 基于多种忆阻状态逻辑门的存内逻辑综合映射方法及系统
- 本发明公开了一种基于多种忆阻状态逻辑门的存内逻辑综合映射方法，包括对简单逻辑门和复合逻辑门进行功能验证后加入自定义标准单元库；使用综合工具将初始计算功能以最小面积为目标，将输入的原始逻辑函数转化为由简单逻辑门的功能构成的...
- 许诺胡钇宏何小威冯超超刘康马驰远
- 电压诱导的纳米点磁化单轴到涡旋态的非易失调控方法
- 本发明公开了一种电压诱导的纳米点磁化单轴到涡旋态的非易失调控方法，目的是解决电驱动低能耗纳米点单轴态到涡旋态转变中的高能耗问题。技术方案是：设计一种由压电层，底电极，N个磁性纳米点及两个短路表电极组成的非易失的纳米点磁化...
- 刘嘉豪方粮李成许诺杨彬彬朱传超漆学雷
- 文献传递
- 一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非或逻辑实现方法
- 本发明公开了一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非或逻辑实现方法，目的是解决阵列面积开销、中层间信息无法流动的问题。三维忆阻器状态逻辑电路由六个忆阻器和一个串联电阻组成；六个忆阻器和串联电阻均连接到一个公共节点CN；第一、第三...
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- 文献传递
- 电压诱导的纳米点磁化单轴到涡旋态的非易失调控方法
- 本发明公开了一种电压诱导的纳米点磁化单轴到涡旋态的非易失调控方法，目的是解决电驱动低能耗纳米点单轴态到涡旋态转变中的高能耗问题。技术方案是：设计一种由压电层，底电极，N个磁性纳米点及两个短路表电极组成的非易失的纳米点磁化...
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- 文献传递
- 面向三维忆阻阵列的状态逻辑计算
- 2023年
- 基于忆阻存储阵列的状态逻辑电路是打破“冯·诺依曼瓶颈”,实现存内计算的有效途径。然而,目前针对存内状态逻辑电路的研究多以二维忆阻存储阵列为基础平台,缺少对更复杂的三维忆阻存储阵列中状态逻辑实现的讨论。相比于平面二维阵列,三维忆阻存储阵列拥有更大的存储密度和更丰富的器件连接关系,能对状态逻辑门的构建提供更灵活的配型方法。因此,有必要对状态逻辑门在三维存储阵列中的配型和级联过程进行专门讨论。立足平面堆叠型三维忆阻存储阵列,从基本状态逻辑门的实现以及支持级联的综合映射方法2个方面对复杂状态逻辑计算过程实现进行研究。首先,分析并总结了平面堆叠型三维忆阻存储阵列中器件的连接关系,并据此得出实现两输入布尔逻辑的状态逻辑门配型要求。其次,提出一种复合状态逻辑门,通过将逻辑输入与逻辑输出共享同一个忆阻器,来一步实现复杂逻辑功能(例如,定义为ONOR),节省复杂状态逻辑计算过程的步骤与器件数目。最后,还给出了基于三维忆阻存储阵列中复杂状态逻辑计算实现的自动化综合映射方法。对LGsynth91基准的测试结果表明,与当前二维阵列中的最优映射结果相比,提出的基于三维忆阻存储阵列的综合映射方法实现了层间的逻辑计算,并且节省了41.1%的阵列使用面积。在引入ONOR复合门之后,完成计算需要的逻辑操作步骤、忆阻器数目、阵列使用面积分别进一步降低了8.6%,18.8%和50.5%。
- 胡钇宏马德胜许诺王文清黄成龙方粮
- 关键词：映射
- 一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非逻辑实现方法
- 本发明公开了一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非逻辑实现方法，目的是解决阵列面积开销、中层间信息无法流动的问题。三维忆阻器状态逻辑电路由六个忆阻器和一个串联电阻组成；六个忆阻器和串联电阻均连接到一个公共节点CN；第一、第三、...
- 马德胜许诺方粮
- 文献传递
- 多值忆阻器的写入方式研究
- 2014年
- 通过改变忆阻器在SET过程中的限制电流或在RESET过程中的电压边界,是实现多值存储的常用方法.而针对某一种方法,又存在多种不同的写入方式.针对在SET过程中通过改变限制电流大小而实现多值的方法,提出了两种不同的写入方式,为其命名为"先判断后写入"和"先擦除后写入".分别使用两种方式对制备的Au/TiO2/Au器件测试发现,"先判断后写入"的方式由于减小了操作过程中的RESET次数而比"先擦除后写入"的方式具有更明显的阻值窗口和更好的低阻值的均一性.
- 许诺方粮汤振森张超池雅庆
- 关键词：多值均一性
- 一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非或逻辑实现方法
- 本发明公开了一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非或逻辑实现方法，目的是解决阵列面积开销、中层间信息无法流动的问题。三维忆阻器状态逻辑电路由六个忆阻器和一个串联电阻组成；六个忆阻器和串联电阻均连接到一个公共节点CN；第一、第三...
- 许诺马德胜方粮
- 文献传递
