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张译

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电路
  • 3篇电平转换
  • 3篇电平转换电路
  • 3篇转换电路
  • 2篇氮化镓
  • 2篇低功耗
  • 2篇电路集成
  • 2篇异或
  • 2篇轮对
  • 2篇寄存器
  • 2篇加密
  • 2篇加密标准
  • 2篇加密算法
  • 2篇功耗
  • 2篇耗尽型
  • 2篇高级加密标准
  • 2篇半导体
  • 2篇串扰
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇张译
  • 4篇邸志雄
  • 4篇郝跃
  • 4篇史江一
  • 2篇马配军
  • 2篇赵彦尚
  • 2篇赵哲斐
  • 2篇李康
  • 2篇杨小峰

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于高级加密标准AES的128比特位密钥扩展方法
本发明公开了一种基于高级加密标准AES的128比特位密钥扩展系统及方法，主要解决现有AES加密算法中的128比特密钥扩展过程的低效率和高功耗问题。其实现过程是：在密钥扩展的第一轮对初始密钥进行存储，作为该轮的轮密钥，对轮...
郝跃赵哲斐史江一邸志雄李康赵彦尚张译
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基于高级加密标准AES的128比特位密钥扩展方法
本发明公开了一种基于高级加密标准AES的128比特位密钥扩展系统及方法，主要解决现有AES加密算法中的128比特密钥扩展过程的低效率和高功耗问题。其实现过程是：在密钥扩展的第一轮对初始密钥进行存储，作为该轮的轮密钥，对轮...
郝跃赵哲斐史江一邸志雄李康赵彦尚张译
氮化镓基增强耗尽型电平转换电路
本发明公开了一种氮化镓基增强耗尽型电平转换电路，主要解决现有技术尚不能将电平转换电路和氮化镓基电路集成到一个衬底上的缺点。本发明包括第一反相电路，第一输出电路，第二反相电路，第二输出电路等四个部分。第一反相电路将输入电平...
郝跃张译史江一马配军杨小峰邸志雄
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氮化镓基增强耗尽型电平转换电路
本发明公开了一种氮化镓基增强耗尽型电平转换电路，主要解决现有技术尚不能将电平转换电路和氮化镓基电路集成到一个衬底上的缺点。本发明包括第一反相电路，第一输出电路，第二反相电路，第二输出电路等四个部分。第一反相电路将输入电平...
郝跃张译史江一马配军杨小峰邸志雄
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Ge基nMOSFET器件和工艺技术研究
随着硅(Si)集成电路中器件的特征尺寸越来越小，通过引入应变来提高载流子迁移率的方法越来越受限。因此高迁移率沟道材料，如锗(Ge)，逐渐成为替代硅作为沟道材料的选择方案。尽管Ge pMOSFET器件在表面钝化及应力工程等...
张译
关键词：场效应晶体管金属氧化物半导体
Ge基nMOSFET器件与工艺技术研究
随着硅（Si）集成电路中器件的特征尺寸越来越小,通过引入应变来提高载流子迁移率的方法越来越受限。因此高迁移率沟道材料,如锗（Ge）,逐渐成为替代硅作为沟道材料的选择方案。尽管Ge pMOSFET器件在表面钝化及应力工程等...
张译
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GaN基X波段低噪声放大器与E/D模电平转换电路研究与设计实现
低噪声放大器(LNA)和移相器在射频接收机中位于雷达系统接收机的前端,其对射频接收系统的性能具有决定性的作用。随着氮化镓(GaN)基器件和微波集成电路技术(MMIC)工艺的发展成熟,GaN基 LNA和移相器的需求大大增加...
张译
关键词：低噪声放大器
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