马荣伟
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：浙江师范大学化学与生命科学学院物理化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术更多>>
- 电沉积–热氧化制备微/纳米针形貌的条纹ZnO薄膜及其光催化性能
- 2013年
- 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为添加剂,在304不锈钢基底上,从硫酸锌–氯化铵体系中用0.03 A·cm?2恒电流阴极沉积得到条纹状的金属Zn膜,经350℃ 1 h,450℃ 2 h两步热氧化得到具有大量微/纳米针的条纹ZnO薄膜。通过XRD、SEM分析了金属Zn薄膜氧化前后的结构和表面形貌,初步讨论了条纹状金属Zn膜形成机理。具有微/纳米针形貌的条纹ZnO薄膜显示出较高的光催化降解罗丹明B的性能。
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- 关键词：ZNO薄膜
- 超薄SnO_2修饰Cu_2O多孔薄膜的可见光光电化学性能被引量：3
- 2015年
- 在FTO(即掺杂氟的Sn O2透明导电玻璃)基底上采用两步恒流电沉积,得到厚度约500 nm的金属Cu薄膜,然后置于Sn O2溶胶中浸渍并经175°C加热氧化,制得由超薄Sn O2修饰的Cu2O多孔薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电镜(SEM)和漫反射–紫外可见光谱(UV-Vis DRS)表征了试样的结构、形貌及光学性质。通过在0.2 mol/L Na2SO4溶液中测试样品在可见光和零偏压下的光电流,分析了薄膜的光电化学性能。结果表明,超薄的Sn O2修饰层能显著增强Cu2O多孔薄膜的光电化学性能。在Sn O2溶胶中浸渍10 s所制备的超薄Sn O2修饰Cu2O多孔薄膜,其光电流密度是Cu2O未修饰薄膜的4倍。
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- 关键词：电沉积铜氧化亚铜二氧化锡光电化学
- 电化学Fe掺杂增强FTO薄膜的可见光光电化学性能被引量：3
- 2017年
- 通过在Fe SO4溶液中将FTO(F掺杂SnO_2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500°C空气中热氧化,制备出对可见光有响应的Fe掺杂FTO薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了薄膜的形貌、结构和表面特性。在可见光下测试了薄膜在1.0 mol/L NaOH溶液中零偏压下的光电流-时间曲线。结果显示,电化学修饰后的FTO薄膜表面呈纳米多孔形貌,薄膜中有1%(原子分数)左右的Fe元素掺杂且存在正交结构SnO_2和四方结构SnO_2两种物相。Fe掺杂FTO的光电流密度为0.5μA/cm^2,比无Fe掺杂的FTO薄膜(0.019μA/cm^2)显著增强。
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- 关键词：铁掺杂阴极极化光电流
- 碳钢基底上纳米Fe/_2O/_3的制备及光电化学性能
- 在众多的氧化物半导体材料中,n型半导体Fe203的禁带宽度为2.1eV左右,可吸收利用太阳能光谱中大部分的可见光。除此之外,对环境无污染、无毒性、在中性或碱性溶液中性能稳定,而且价格低廉、原料丰富,是非常理想的半导体催化...
- 马荣伟
- 关键词：碳钢光电化学
- 文献传递
