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李曦

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：文化科学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇版图
  • 4篇电路
  • 4篇互连
  • 3篇电路版图
  • 3篇螺旋电感
  • 3篇晶体管
  • 3篇集成电路
  • 2篇电学
  • 2篇有效值
  • 2篇品质因子
  • 2篇平面螺旋电感
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇阈值电压
  • 2篇密度函数
  • 2篇介质层
  • 2篇绝缘
  • 2篇集成电路版图
  • 2篇寄生参数
  • 2篇函数

机构

  • 12篇华东师范大学
  • 12篇上海集成电路...

作者

  • 12篇石艳玲
  • 12篇李曦

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2008
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法
本发明提供了一种基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法。所述共平面波导包括SOI衬底，形成在SOI衬底上的二氧化硅层，以及形成在二氧化硅层上且间隔排列的地线和信号线，其中，相邻地线和信号线之间的间隔带上开设有沿地线和信号...
石艳玲李曦温秀芝陈寿面王勇
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一种互连延迟寄生参数的分析方法
本发明公开了一种互连延迟寄生参数的分析方法，包括以下步骤：辨认电路的关键路径；提取关键路径的寄生参数；分析工艺波动对寄生参数和电路性能的影响。本发明旨在提出一种准确、消耗资源少、速度快的互连延迟寄生参数的分析方法，适用于...
石艳玲李曦汪明娟张孟迪任铮胡少坚陈寿面
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应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型
本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型，在标准BSIM4模型的基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，所述版图参量的值为设计的版图尺寸，包括相邻PC的间距、dummyPC个数、STI与PC间距...
石艳玲李曦汪明娟任铮胡少坚陈寿面彭兴伟唐逸
平面螺旋电感
本发明公开了一种平面螺旋电感，所述平面螺旋电感包括：半导体衬底；介质层，形成于所述半导体衬底上；平面螺旋电感主体，形成于所述介质层上；绝缘隔离结构，形成于所述半导体衬底中并与所述平面螺旋电感主体相对应。本发明提供的平面螺...
石艳玲李曦张建军赵宇航王勇
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应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力的建模方法
本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型，在标准BSIM4模型的基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，所述版图参量的值为设计的版图尺寸，包括相邻PC的间距、dummyPC个数、STI与PC间距...
石艳玲李曦汪明娟任铮胡少坚陈寿面彭兴伟唐逸
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片上电感集总模型
本发明公开了一种新型片上电感集总模型，所述片上电感集总模型在传统单π电感模型的电感部分接入了并联的R<Sub>0</Sub>和L<Sub>0</Sub>，表征趋肤效应和邻近效应；在衬底部分接入了并联的R<Sub>sub<...
石艳玲李曦蔡静任铮胡少坚陈寿面
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基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法
本发明公开了一种基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法，将同一个集成电路分别设计成多个不同布局的版图文件，根据集成电路的制造工艺文件提取集成电路的工艺层文件，配合提取得到的多个不同布局的版图文件的信息文件，分别进...
石艳玲李曦周卉张孟迪任铮胡少坚陈寿面
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基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法
本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法，测试MOS晶体管的失效时间数据，经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值，绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线，以其为拟合标准，...
石艳玲李曦周卉任铮胡少坚陈寿面
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基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法
本发明公开了一种基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法，将同一个集成电路分别设计成多个不同布局的版图文件，根据集成电路的制造工艺文件提取集成电路的工艺层文件，配合提取得到的多个不同布局的版图文件的信息文件，分别进...
石艳玲李曦周卉张孟迪任铮胡少坚陈寿面
基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法
本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法，测试MOS晶体管的失效时间数据，经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值，绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线，以其为拟合标准，...
石艳玲李曦周卉任铮胡少坚陈寿面
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