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吴悦迪

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:扬州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 3篇化学腐蚀
  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 1篇多孔硅
  • 1篇形貌
  • 1篇量子
  • 1篇量子限制效应
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇硅纳米晶
  • 1篇发光研究
  • 1篇N型
  • 1篇N型硅

机构

  • 3篇扬州大学

作者

  • 3篇朱骏
  • 3篇吴悦迪
  • 2篇杨义军
  • 1篇陈海涛
  • 1篇刘红飞
  • 1篇陈小兵

传媒

  • 2篇扬州大学学报...
  • 1篇光谱实验室

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
化学腐蚀法制备发光硅纳米颗粒被引量:2
2011年
用硝酸和氢氟酸的混合酸液腐蚀普通硅粉,经过超声空化作用,分别在去离子水、无水乙醇中制备出硅纳米晶颗粒.硅纳米颗粒的平均粒径约为2 nm,它们或单独存在,或包裹于非晶态物质中.在320 nm的光激发下,硅纳米颗粒的悬浮液在390 nm处呈现一明显的紫外发光峰,理论分析证明该发光峰与硅量子点的量子限制效应有关.
吴悦迪朱骏刘红飞陈海涛陈小兵
关键词:硅纳米晶化学腐蚀光致发光量子限制效应
n型多孔硅光致发光研究
2011年
对在无光照条件下,电化学阳极腐蚀方法制备的n型多孔硅进行了光致发光性能研究。在325nm的激发光照射下,多孔硅样品的发光峰在620nm处,其橙红色的发光肉眼可见,并随阳极电流密度与腐蚀时间乘积的增加,先增强,后减弱。其发光峰位置与量子限制效应、表面态及缺陷态有关,发光强度与样品表面深度较浅孔洞所占的面积比成正比。
杨义军吴悦迪朱骏
关键词:电化学腐蚀光致发光
n型多孔硅的无光照制备方法被引量:1
2010年
以甲醇、双氧水和氢氟酸的混合液为电解质,在无光照条件下,用电化学腐蚀方法制备了n型多孔硅.通过场发式扫描电镜测试表明,由这个简单易行的方法制得的多孔硅,其表面孔洞的尺寸、密度及深度均一,孔洞呈近似矩形状,边缘光滑.随着电化学腐蚀的电流密度与腐蚀时间的乘积的增加,孔洞的尺寸和深度增加.在多孔硅的形成过程中,双氧水有助于在硅片中形成空穴,使腐蚀反应能够顺利进行.
杨义军吴悦迪朱骏
关键词:N型硅电化学腐蚀多孔硅形貌
共1页<1>
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