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张苗

作品数：306 被引量：36H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 265篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 7篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 55篇电子电信
  • 19篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 97篇衬底
  • 60篇石墨
  • 60篇石墨烯
  • 57篇绝缘
  • 55篇离子注入
  • 54篇半导体
  • 50篇绝缘体
  • 45篇退火
  • 41篇键合
  • 39篇弛豫
  • 34篇迁移率
  • 29篇单晶
  • 28篇衬底材料
  • 27篇纳米
  • 26篇晶体管
  • 25篇沟道
  • 24篇晶格
  • 22篇图形化
  • 18篇多晶
  • 18篇多晶硅

机构

  • 306篇中国科学院
  • 22篇上海新傲科技...
  • 5篇中国科学院大...
  • 3篇香港城市大学
  • 3篇中国科学院研...
  • 2篇上海工程技术...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇新思科技有限...

作者

  • 306篇张苗
  • 219篇狄增峰
  • 152篇薛忠营
  • 96篇陈达
  • 95篇王曦
  • 73篇王刚
  • 57篇母志强
  • 37篇郭庆磊
  • 36篇叶林
  • 29篇张波
  • 29篇魏星
  • 27篇姜海涛
  • 26篇郑晓虎
  • 25篇陈静
  • 25篇卞剑涛
  • 24篇林成鲁
  • 19篇戴家赟
  • 18篇俞文杰
  • 16篇赵清太
  • 15篇贾鹏飞

传媒

  • 6篇功能材料与器...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇科学通报
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理
  • 2篇功能材料
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇微电子学
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇上海市有色金...

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 7篇2021
  • 5篇2020
  • 15篇2019
  • 14篇2018
  • 19篇2017
  • 31篇2016
  • 44篇2015
  • 26篇2014
  • 41篇2013
  • 31篇2012
  • 17篇2011
  • 12篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
共 306 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法
本发明公开了一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法，以及基于该方法的CMOS集成电路制备方法。本发明提出的制备方法，采用SiGe层作为第一晶向外延的虚拟衬底层，从而可以形成第一晶向的顶层应变硅；采用从窗口直接外延覆...
卞剑涛狄增峰张苗
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一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同...
狄增峰汪子文戴家赟王刚郑晓虎薛忠营张苗王曦
文献传递
一种制备无褶皱的石墨烯的方法
本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：提供一催化基底，在所述催化基底表面预设区域进行离子注入以破坏注入区域的催化性能，并使得所述催化基底表面形成若干分立的未注入单元；S2：将所述催化基底放入生长腔室...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎汪子文薛忠营张苗
文献传递
微结构保角性转移方法
本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者B...
狄增峰郭庆磊张苗魏星薛忠营母志强戴佳赟
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混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
本发明公开了一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的第一...
肖德元王曦张苗陈静薛忠营
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一种褶皱状石墨烯的制备方法
本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营史晓华张苗
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具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法
本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换...
狄增峰贾鹏飞薛忠营郑晓虎张苗王曦
一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅...
俞文杰张波赵清太狄增峰张苗王曦
文献传递
一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位...
黄晓橹魏星程新红陈静张苗王曦
文献传递
一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法
本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>/Si<Sub>epi</Sub>/Si<Sub>1-y</Sub>Ge<Sub>y</S...
张苗薛忠营张波魏星
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