孟凡一
- 作品数：1 被引量：8H指数：1
- 供职机构：西南大学物理科学与技术学院（电子信息工程学院）更多>>
- 发文基金：重庆市高等学校优秀人才支持计划中央高校基本科研业务费专项资金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种改进的WO_x忆阻器模型及其突触特性分析被引量：8
- 2015年
- 忆阻器被定义为第四种基本电子元器件,其模型的研究呈现多样性.目前,忆阻器模型与忆阻器实际特性的切合程度引起了研究者的广泛关注.通过改变离子扩散项,提出了一种新的WOx忆阻器模型,更好地匹配了忆阻器的实际行为特性.首先,新的模型不仅能够描述忆阻器的一般特性,而且能够俘获记忆丢失行为.另外,将新的忆阻器作为神经突触,分析了脉冲速率依赖可塑性、短期可塑性、长期可塑性,并发现了与生物系统中极为相似的"经验学习"现象.最后,考虑到温度与离子扩散系数的关系,探讨了温度对突触权值弛豫过程的影响.实验表明,新忆阻器模型比原来的模型更切合实际,且更适合作为突触而应用到神经形态系统之中.
- 孟凡一段书凯王丽丹胡小方董哲康
- 关键词：突触可塑性温度
