石建刚
- 作品数：15 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种16位高速D/A转换器的研究被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μmBiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。
- 李荣强石建刚何开全
- 关键词：D/A转换器BICMOS工艺
- 一种高速高分辨率电流舵D/A转换器的设计被引量：2
- 2010年
- 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3.3 V/1.8 V(模拟电路部分电源电压为3.3 V,数字电路部分电源电压为1.8 V)、最大刷新率为200 MSPS、分辨率为14位的高速D/A转换器(DAC)。该DAC采用传统的5-4-5温度计码与二进制权重码混合编码的分段电流舵结构。对电路中的关键模块,如运算放大器、带隙基准源,进行了优化设计;给出了整体电路的版图设计。仿真结果显示,采样频率为200 MHz时,DAC的SFDR为87 dB左右。
- 唐守志李儒章石建刚
- 关键词：CMOS电流舵D/A转换器
- 增益和摆率增强型放大器
- 本发明涉及一种增益和摆率增强型放大器，采用电流镜型跨导放大器（OTA）实现，由一个差分输入级单元和一个双端转单端单元构成。本发明的放大器采用增加电流控制可变电阻的方式，优化电流镜结构，使电路在相同静态功耗情况下可以得到更...
- 黄晓宗石建刚刘伦才王健安黄文刚
- 文献传递
- 恒定振幅压控环形振荡器的偏置电路
- 本发明公开了一种恒定振幅压控振荡器的偏置电路。它包括一个偏置电压V<Sub>BN</Sub>产生电路和一个偏置电压V<Sub>BP</Sub>产生电路。本发明电路通过使用运算放大器和偏置电路相结合的方案，利用运算放大器的...
- 刘凡石建刚罗俊何峥嵘苏晨王建安徐学良
- 文献传递
- 一种应用于SoC的小面积高性能锁相环IP单元被引量：2
- 2013年
- 基于0.13μm 1P5M CMOS工艺,设计了一种适用于SoC的小面积高性能PLL IP单元。采用一种新的系统环路参数设计方法,极大地减小了芯片面积。PLL的工作电压为1.2V,输出时钟频率范围为36～768MHz。输出时钟频率600MHz时,时钟抖动约为3.3ps,功耗为4.2mW,芯片面积为0.036mm2。
- 苏晨刘凡石建刚罗俊向洵
- 关键词：锁相环片上系统压控振荡器
- T型开关结构的64选1模拟开关电路
- 本发明公开了一种T型开关结构的64选1模拟开关电路，电路主要由四个16选1模拟开关单元、构成4选1模拟开关单元的四个模拟开关单元、七个电平转换电路单元和一个译码器组成。本发明电路的工作电压为±15V，传输的模拟信号范围±...
- 舒辉然冉建桥熊化兵刘伦才石建刚温玉蒲林刘勇唐昭焕
- 文献传递
- 一种新颖的5-31温度计码电流源排布形式——环心排列
- 2009年
- 介绍了一种新颖的5-31温度计码电流源排布形式——环心排列。通过增加对称性,弥补制造过程中产生的梯度失配误差,以减小电流源之间的失配。对5-31温度计码电流源阵列的理论分析表明,在梯度失配误差方面,与现有排布形式相比,其最大梯度失配误差绝对值至少缩小20%,梯度失配误差的绝对值总值至少缩小30%;同时,由于增加了对称性,梯度误差失配的抵消点数量比原来大大增加。
- 毛立龙石建刚徐世六
- 关键词：电流源
- 深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型被引量：5
- 2012年
- 随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题。重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及其可靠性模型进行了总结。
- 刘富财蔡翔罗俊刘伦才石建刚
- 关键词：深亚微米器件CMOS集成电路
- 适于16位D/A转换器的CMOS电流源阵列设计
- 介绍了一种适合于高速16位D/A转换器的CMOS电流源阵列设计技术，重点阐述了这种电流源阵列和电流源晶体管尺寸的设计原理；详细介绍了在电流源阵列版图设计中，为了减小工艺梯度误差，解决不同电流源间的匹配问题，采用了一种“矩...
- 石建刚张加斌蒲佳温玉
- 关键词：转换器电流源
- 一种新颖的LDO限流保护电路被引量：2
- 2014年
- 设计了一种新颖的LDO限流保护电路。该保护电路结构简单,由5个MOS管构成,其静态电流约200 nA。对该保护电路的原理进行了详细的分析和仿真验证。该LDO采用0.6μm SOI工艺流片,测试结果表明,该LDO具有稳定的限流保护功能。
- 李娅石建刚
- 关键词：LDO
