吕云安
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 辐照对砷化镓外延材料的影响
- 吕云安
- 关键词：砷化镓外延层辐照半导体材料
- 氮气保护操作箱
- 一种氮气保护操作箱，用于存储危险、有毒化学药品或实施操作。其结构中包括操作舱、缓冲通道、配套的支架，操作舱上设有视窗、手套接口、气体进出口，固定在支架上的操作舱侧壁上连接缓冲通道，其特征在于在操作舱带有通气孔的底板下方设...
- 陈昊齐国虎霍玉柱吕云安
- 文献传递
- 碳化硅二次外延结构
- 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故...
- 杨霏潘宏菽陈昊冯震吕云安齐国虎张志国冯志红蔡树军杨克武
- 文献传递
- 防止隔离式操作装置产生二次污染的方法
- 一种防止隔离式操作装置产生二次污染的方法，用于危险、有毒的化工原料进行隔离操作的场合，相应装置的结构中包括与外界隔离的操作间、缓冲间和配套设置的气体排放系统，关键的改进在于在隔离式操作装置的结构设计中增设了对危险逸出物的...
- 陈昊齐国虎霍玉柱吕云安
- 文献传递
- 碳化硅二次外延结构
- 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故...
- 杨霏潘宏菽陈昊冯震吕云安齐国虎张志国冯志红蔡树军杨克武
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- 一种能防止产生二次污染的氮气保护操作箱
- 一种能防止产生二次污染的氮气保护操作箱，用于危险、有毒的化工原料进行隔离操作的场合，相应装置的结构中包括与外界隔离的操作间、缓冲间和配套设置的气体排放系统，关键的改进在于在隔离式操作装置的结构设计中增设了对危险逸出物的收...
- 陈昊齐国虎霍玉柱吕云安
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- 用于微波单片和功率管的GaAs VPE材料
- 吕云安严振斌徐永强张藏珍何梅芬艾广勤刘玉兰等
- 一、成果内容简介：采用常用规的Ga/AsCl<,3>/H<,2>氯化物气相外延的方法，在Si-GaAs单晶衬底上生长出适用于CaAsMMIC和功率MESFET的2in与3inn+/n/n-/Si-GaAs多层外延材料并具...
- 关键词：
- 关键词：半导体工艺微波器件功率晶体管汽相外延
- 注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
- 1996年
- 详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(0.669)和一个空穴陷阱H(0.545),而在能量为20keV和剂量为5×10^(14)cm^(-2)的氮离子注入并经同样退火的同种GaAs中,只观测到E_4和H(0.545)两种缺陷,E_2和E_3是高能量注入损伤缺陷,E_4可能是本征缺陷和注入损伤的络合物,H(0.545)是与氮有关的深能级,它可能与掺氮n型GaAs中的自由载流子受到严重补偿有关。
- 陈开茅金泗轩贾勇强邱素娟吕云安何梅芬刘鸿飞
- 关键词：砷化镓注氮深能级载流子
