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崔碧峰

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：北京牡丹电子集团有限责任公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光器
  • 4篇热沉
  • 3篇封装
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇氮化铝陶瓷
  • 2篇电极
  • 2篇散热材料
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇陶瓷
  • 2篇锥形增益
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇镀膜
  • 1篇多量子阱

机构

  • 7篇北京牡丹电子...

作者

  • 7篇计伟
  • 7篇崔碧峰
  • 6篇徐旭红
  • 5篇赵瑞
  • 5篇张松
  • 4篇李刚
  • 1篇李佳莼
  • 1篇王晓玲

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法
本发明涉及一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，包括基体材料层以及分别生长在基体材料层上下表面的上金属层和下金属层，所述上金属层由绝缘隔离层分离成各自独立的第一正极电极、第二正极电极和负极电极，且所述第一正极电极用于给...
李刚张松崔碧峰徐旭红赵瑞计伟
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一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法
本发明涉及一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，包括基体材料层以及分别生长在基体材料层上下表面的上金属层和下金属层，所述上金属层由绝缘隔离槽分离成各自独立的第一正极电极、第二正极电极和负极电极，且所述第一正极电极用于给...
李刚张松崔碧峰徐旭红赵瑞计伟
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一种具有光栅结构的边发射半导体激光器及制作方法
本发明涉及一种具有光栅结构的边发射半导体激光器及制作方法，包括以下步骤：在砷化镓衬底上依次制备N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层和P型欧姆接触层；在P型欧姆接触层的上表面光刻出脊形台面；在P型...
崔碧峰计伟陈京湘
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一种制作半导体激光器热沉的方法
本发明涉及一种带石墨烯层的半导体激光器热沉，包括从下至上依次沉积的基体材料层、无氧铜层和石墨烯层，所述基体材料层采用的材料是氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅或氮化硼中的任意一种。本发明还对应给出了制...
李刚张松崔碧峰徐旭红赵瑞计伟
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一种用于辅助激光器封装辨识的光刻版图
本实用新型涉及一种用于辅助激光器封装辨识的光刻版图，包括划片槽和光刻标记，所述光刻版图上设置有用于解理的划片槽，所述划片槽围成光刻激光器图形区域，所述激光器图形区域上设置有光刻标记。本实用新型在半导体制造工艺中光刻版图上...
崔碧峰李佳莼徐旭红计伟
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一种带石墨烯层的半导体激光器热沉及其制作方法
本发明涉及一种带石墨烯层的半导体激光器热沉，包括从下至上依次沉积的基体材料层、无氧铜层和石墨烯层，所述基体材料层采用的材料是氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅或氮化硼中的任意一种。本发明还对应给出了制...
李刚张松崔碧峰徐旭红赵瑞计伟
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一种新型半导体激光器腔面镀膜夹具
本实用新型涉及一种新型半导体激光器腔面镀膜夹具，包括T型栓，夹具外壳和内嵌组合模块，夹具外壳的中央设置有第一矩形通槽，在第一矩形通槽的中下部设置有向夹具外壳的两侧延伸的凹槽，夹具外壳的上表面与第一矩形通槽之间设置有横梁，...
徐旭红陈京湘崔碧峰计伟王晓玲张松赵瑞
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