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欧红旗

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇二极管
  • 2篇低压
  • 2篇电压
  • 2篇退火
  • 2篇退火时间
  • 2篇离子注入
  • 2篇离子注入技术
  • 2篇反向电压
  • 1篇低失调
  • 1篇电路
  • 1篇运算放大器
  • 1篇双极集成电路
  • 1篇探测器
  • 1篇集成电路
  • 1篇光电
  • 1篇光电二极管
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇放大电路
  • 1篇放大器

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇欧红旗
  • 2篇税国华
  • 2篇胡明雨
  • 1篇余佳
  • 1篇张正璠
  • 1篇谭开洲
  • 1篇黄文刚
  • 1篇何艳红
  • 1篇杨卫东
  • 1篇杨谟华
  • 1篇李开成

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种硅光电接收处理集成电路的技术研究被引量：2
2006年
介绍了一种在硅衬底上集成光电二极管探测器和双极接收放大处理电路的单芯片光电集成电路OEIC。从理论上阐述了光电器件实现的原理;为实现光电探测二极管与单片双极集成电路的兼容,设计了光电探测器的专用结构,并研制了光电探测器的专用模型。对接收处理电路进行了模拟仿真和优化设计。建立了与双极工艺兼容的制作光电二极管探测器的专用工艺;采用该工艺,对光电器件进行了版图设计、工艺制作和测试研究,给出了初步试验的方法和结果。
杨卫东张正璠李开成欧红旗黄文刚
关键词：光电二极管光电探测器双极集成电路
低压大变容比二极管的制造方法
本发明涉及一种低压大变容比二极管的制造方法。本发明采用双离子注入技术形成PN结二极管，通过调节PN结P型区域和N型区域的注入剂量和退火时间，形成陡峭的PN结，确保在低的反向电压下保证二极管的变容比，使其满足低压便携式接收...
胡明雨欧红旗税国华
文献传递
低压大变容比二极管的制造方法
本发明涉及一种低压大变容比二极管的制造方法。本发明采用双离子注入技术形成PN结二极管，通过调节PN结P型区域和N型区域的注入剂量和退火时间，形成陡峭的PN结，确保在低的反向电压下保证二极管的变容比，使其满足低压便携式接收...
胡明雨欧红旗税国华
文献传递
一种高精度低失调运算放大器的设计被引量：6
2005年
　基于基流自举补偿技术、偏置微调技术、同心圆式的几何布局技术和2μm双极工艺,设计了一种高精度超低失调运算放大器。测试结果表明,电路直流开环增益为125dB,共模抑制比120dB,失调电压18μV,压摆率0.6V/μs。该器件可广泛应用于mV量级或更低微弱信号的精密检测、精密模拟计算、高精度稳压电源和自动控制仪表等。
余佳欧红旗杨谟华何艳红谭开洲
关键词：运算放大器
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